0.13μmCMOS工艺中ESD防护结构设计的任务书任务：设计一种有效的ESD防护结构，以保护0.13μmCMOS工艺制作的芯片免受静电放电（ESD）的影响。说明：1.ESD是一种短暂但高能量的电磁脉冲，可对微电子器件产生破坏性影响。2.为了保护芯片免受ESD影响，需要在芯片上设计和实现ESD防护结构，它可以吸收ESD电荷并将其有效地导出到地面。3.设计和优化ESD防护结构需要考虑多个因素，包括注入等效电荷（IEC）、封装内电路板（PCB）等。4.实验结果应该显示芯片在ESD事件下具有显著的稳定性和可靠性，而不会出现损坏或故障。任务要求：1.了解ESD现象和芯片设计的基础知识和原理。2.探索并比较不同的ESD防护结构设计方案，评估其性能和效率，并选择最佳方案。3.实现所选ESD防护结构，并在实验室中进行测试和验证。4.分析测试结果，评估芯片的性能和可靠性，并推荐改进方案。5.编写完整的实验报告，说明设计过程、实施和测试结果，并展示理解和思考的深度和广度。