会计学目录(mùlù)CMP发展史CMP制程的全貌(quánmào)简介CMP机台的基本(jīběn)构造(I)CMP机台的基本(jīběn)构造(II)Mirra机台概貌(gàimào)Teres机台概貌(gàimào)线性平坦(píngtǎn)化技术研磨(yánmó)皮带上的气孔设计(Air-beltdesign)F-Rex200机台概貌(gàimào)终点(zhōngdiǎn)探测图（STICMPendpointprofile）为什么要做化学(huàxué)机械抛光（WhyCMP）?没有平坦(píngtǎn)化之前芯片的表面形态没有(méiyǒu)平坦化情况下的PHOTO平坦化程度(chéngdù)比较StepHeight（高低落差(luòchā)）&LocalPlanarity（局部平坦化过程）初始形貌(xínɡmào)对平坦化的影响CMP制程的应用(yìngyòng)CMP制程的应用(yìngyòng)STI&OxideCMP所谓OxideCMP包括ILD(Inter-levelDielectric)CMP和IMD(Inter-metalDielectric)CMP,它主要是磨氧化硅(Oxide),将Oxide磨到一定的厚度(hòudù)，从而达到平坦化。OxideCMP的前一站是长Oxide的CVD区，后一站是Photo区。W（钨）CMP流程(liúchéng)-1POLYCMP流程(liúchéng)简介-2aROUGHPOLYCMP流程(liúchéng)-2bCMP耗材CMP耗材的种类(zhǒnglèi)CMP耗材的影响(yǐngxiǎng)IntroductionofCMPIntroductionofCMPIntroductionofCMPIntroductionofCMP~End~