会计学硅原子1.1.1本征半导体共价键共用(ɡònɡyònɡ)电子对在常温下，由于热运动，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键上留下一个空位，称为空穴（带正电(zhèngdiàn)）。（本征激发）在其他力作用下，空穴吸引邻近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移(qiānyí)，空穴的迁移(qiānyí)相当于正电荷的移动，因此，可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子：自由电子和空穴。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高。本征半导体的导电能力越强。半导体的导电机理不同于其它(qítā)物质，所以它具有不同于其它(qítā)物质的特点。例如：在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化(biànhuà)。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。N型半导体中的载流子：二、P型半导体三、杂质(zázhì)半导体的示意表示法总结N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂提供的电子，本征半导体中受激产生的电子只占少数。N型半导体中空穴是少子，少子的迁移(qiānyí)也能形成电流。由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似可认为多子与杂质浓度相等。P型半导体中空穴是多子，电子是少子。1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度(wēndù)）有关。