3.1.1半导体材料(cáiliào)1、电子(diànzǐ)-空穴对由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对2、导电(dǎodiàn)的实质1.N型半导体2.P型半导体3.杂质(zázhì)对半导体导电性的影响N型半导体中是否存在空穴？P型半导体中是否存在电子？N型半导体是否带负电？P型半导体是否带正电？N型半导体与P型半导体能否相互(xiānghù)转化？3.2PN结的形成(xíngchéng)及特性3.2.1载流子的漂移(piāoyí)与扩散在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别(fēnbié)形成N型半导体和P型半导体。3.2.2PN结的形成(xíngchéng)因浓度(nóngdù)差(2)PN结加反向(fǎnxiànɡ)电压时PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有(jùyǒu)较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有(jùyǒu)很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有(jùyǒu)单向导电性。(3)PN结V-I特性(tèxìng)表达式(2)势垒电容(diànróng)CB极间电容(diànróng)（结电容(diànróng)）为势垒电容(diànróng)和扩散电容(diànróng)之和。3.3二极管3.3.1二极管的结构(jiégòu)(4)二极管的代表(dàibiǎo)符号(7)反向恢复时间(shíjiān)TRR*3.3.4二极管的温度(wēndù)特性*3.3.5二极管的型号(xínghào)半导体二极管图片(túpiàn)半导体二极管图片(túpiàn)3.4二极管的基本(jīběn)电路及其分析方法3.4.1简单(jiǎndān)二极管电路的图解分析方法例3.4.1电路(diànlù)如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。理想(lǐxiǎng)模型在数字电子技术中常采用。（2）恒压降模型（3）折线(zhéxiàn)模型（4）小信号(xìnhào)模型vs=0时,Q点称为静态(jìngtài)工作点，反映直流时的工作状态。过Q点的切线等效(děnɡxiào)成一个微变电阻rd2．模型分析法应用(yìngyòng)举例/（2）静态工作情况(qíngkuàng)分析（3）限幅电路(diànlù)双向限幅电路(diànlù)*（4）钳位电路(diànlù)解：设t=0时，电容两端电压为0。在0~期间，vi为负值。，二极管D正偏导通，，电容C通过D充电，vc随vi的负向增加而上升至Vm，极性如图所示。从开始，，二极管一直反偏截止，电容无放电回路，vc基本保持不变，则故时，vo=0时，vo=Vm时，vo=2Vmt=T时，vo=Vmvo的波形是vi的波形向上平移Vm,vo的负向最大值被钳制在零伏。如果把二极管D反接，则vo的正向最大值被钳制在零伏。（4）开关电路理想(lǐxiǎng)二极管，求VAO解：(c)VPN1=12V,VPN2=－3V,则D1导通，D2截止(jiézhǐ)。VAO=0V。例2(习题3.4.6）©判断(pànduàn)D导通还是截止？例3：理想模型输入电压(diànyā)为0V或5V求输入值的不同组合下，输出电压(diànyā)值。例1：已知二极管导通时压降为0.7V，常温下VT≈26mV，电容C对交流(jiāoliú)信号可视为短路，输入信号为正弦波信号，其有效值是10mV。试求流过二极管中的交流(jiāoliú)电流有效值为多少？解：输入信号(xìnhào)为零时，流过二极管电流为例2：图示电路中，VDD=5V，R=5k，恒压降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinwtV。（1）求输出电压vO的交流(jiāoliú)量和总量；（2）绘出vO的波形。例3：低电压稳压(wěnyā)电路3.5特殊(tèshū)二极管稳压管的稳压作用在于(zàiyú)：电流增量ΔI很大，只引起很小的电压变化ΔVZ曲线越陡，动态电阻越小，稳压性能越好。（P85）(1)稳定(wěndìng)电压VZ稳压管使用时注意：1.稳压管偏置电路的极性是否合理。2.稳压管偏置电压的大小是否大于稳压值。3.流过稳压管电流是否在工作(gōngzuò)范围内。例1：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定(wěndìng)电压分别为5V和10V，试求下列各图中的输出电压VO。已知硅稳压管的正向压降为0.7V。例2：P87页例3.5.2（1）稳压管稳压的原理（并联式稳压电路）。（2）稳压管使用时的注意事项。（3）元件参数(cānshù)的确定稳压管：VZ、Izmin、Izmax、PZM限流电阻：R、PR选择(xuǎnzé)2CW107(P86表3.5.1）*3.5.2变容(biànró