Cr掺杂ZnO薄膜的制备与光学性质研究的中期报告本次实验的目的是制备Cr掺杂ZnO薄膜，并研究其光学性质。通过掺杂Cr改变ZnO材料的导电性能和光吸收能力，从而为其在光催化、太阳能电池等领域的应用提供基础研究。实验方法：1.采用射频磁控溅射法在硅基底上制备ZnO薄膜；2.制备Cr掺杂ZnO薄膜，在制备过程中控制Cr的掺杂浓度；3.利用场发射扫描电镜（FESEM）、X射线衍射仪（XRD）和紫外-可见分光光度计（UV-Vis）等手段对样品进行表征，研究其物理性质和光学性质。实验结果：FESEM结果表明，样品表面平整光滑，颗粒分布均匀，且Cr掺杂后颗粒尺寸略微增大。XRD结果表明，Cr的掺杂并未改变ZnO的结晶结构。UV-Vis光谱显示，Cr掺杂后ZnO薄膜的光吸收能力有所增强，且呈现出明显的吸收峰。此外，掺杂浓度的增大也会导致吸收峰红移的现象。结论：通过制备Cr掺杂ZnO薄膜并研究其光学性质，可以发现Cr的掺杂可以改变ZnO材料的光吸收能力，并且掺杂浓度的变化也会影响其光学性质。因此，Cr掺杂ZnO材料具有在光催化、太阳能电池等方面的应用潜力。