硅作为集成电路半导体材料的主要原因：1.多晶硅原料2.单晶硅制备3.切割4.研磨5.评估粗硅化学法纯化直拉法（Czochralski法）单晶生长晶体主流生长技术晶体和坩锅彼此是相互反向运动：引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度;2.将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体；3.等径生长：根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生长到所需长度；4.收尾：直径逐渐缩小，离开熔体；5.降温：降级温度，取出晶体，待后续加工。晶体生长最大速度：与晶体中的纵向温度梯度、晶体的热导率、晶体密度等有关。温度梯度：提高晶体中的温度梯度，可以提高晶体生长速度；但温度梯度太大，将在晶体中产生较大的热应力，会导致位错等晶体缺陷的形成，甚至会使晶体产生裂纹。熔体中的对流：晶体和坩锅彼此是相互反向运动。相反旋转的晶体和坩埚产生对流，反向旋转速度相差越大，对流强烈，所生长的晶体的直径越大。但对流越强烈，会造成熔体中温度波动，从而导致晶体中的杂质分布不均匀。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。4.研磨3.切割5.晶片评估不同尺寸圆片的生命周期