《汽车实用电子技术》复习卷一、填空题：1、半导体按导电类型可分为P型半导体和N型半导体。2、PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通；加反向电压时，PN结截止。3、晶体二极管的伏安特性可理解为正向导通，反向截止的特性。其中，硅管的导通电压(管压降)为0.7V，锗管为0.3V。4、三极管有NPN型和PNP型，前者的图形符号是；后者的图形符号是。5、三极管处于放大状态时，基极电流与集电极电流之间的关系IE=IB+IC。6、三极管有两个PN结，即发射结和集电结，三极管工作在放大状态时，其发射结正偏，集电结反偏；三极管工作在截止状态时，其发射结反偏；三极管工作在饱和状态时，其发射结正偏，集电结正偏。7、某三极管的管压降UCE不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA，则发射极电流IE=1.23mA，如果基极电流IB增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β=40。8、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即放大区域，饱和区域和截止区域。9、工作在放大状态的三极管可作为放大器件，工作于截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。10、将交流电转变成直流电的过程称为整流。11、反相比例放大电路的电压放大倍数是Auf=-Rf/R1。同相比例放大电路的电压放大倍数是Auf=1+Rf/R1。12运算比例放大器有两个特点，分别是虚短和虚断。13、在LC振荡器中，其振荡频率取决于LC选频电路的谐振频率，其频率为：。14、判断以下三极管的工作状态：饱和导通截止二、选择题：1、已知某放大器中三极管的β=60，IBQ=20μA，则ICQ=（C）。A、3mA；B、120μA；C、1.2mA；D、160μA。2、共发射极电路的输入信号加在三极管的（A）之间。A、基极和射极；B、基极和集电极；C、射极和集电极；D、电源与地3、二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-30V，则该二极管处于（B）A、反偏B、正偏C、零偏4、当使用万用表来检测二极管的单向导电性时，是使用万用表的（B）A、×1K或×10K档B、×100或×1K档C、×100或×10档5、二极管正向电阻（B），反向电阻（A）。A、大B、小6、在电源变压器副边电压相同的情况下，桥式整流电路输出电压是半波整流电路的（A）倍。A、2B、0.45C、0.5D、17、射极跟随器是一个（C）。A、共发射极电路；B、共基极电路；C、共集电极电路；D、共基极和集电极电路。8、三极管共发射极输出特性曲线中，每一条曲线与（B）相对应。A、输入电压；B、基极电流；C、基极电压；D、发射极电流。9、半导体稳压二极管工作在（D）状态。A、正向特性；B、反向特性；C、正向偏置；D、反向击穿。10、半导体中传导电流的载流子是（C）。A、电子；B、空穴；C、电子和空穴；D、价电子。11、在正常放大电路中的一个三极管，测得三极管脚对地的电位分别为：-6V，-5.3V，-9V，则该管是（C）。A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管12、在（C）放大电路中，输出电压与输入电压同相且输出电压幅度大于输入电压。A、共射极；B、共集电极；C、共基极；D、负反馈13、晶体管工作在截止区，则下列哪个答案正确？（A）A、IB=0B、IC受IB控制C、IC=βIB14、如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（B）A、已被击穿B、内部断路C、正常15、在单相半波整流电路中，如果电源变压器副边感应电压为100V，则负载电压将是（B）A、100VB、45VC、90V16、单相全波桥式整流电路中，若电源变压器副边电压有效值为100V，则每只二极管所承爱的最高反向电压为（B）。A、100VB、141VC、282V17、在放大电路的交流通路是指（C）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径18、三极管的伏安特性是指（C）A、输入特性B、输出特性C、输入特性和输出特性19、在共集电极放大电路中，输入与输出电压的相位关系是（A）A、同相B、反相C、既不同相也不反相20、晶体二极管的正极电位是－10V，负极电位是－11V，该晶体二极管处于（C）状态。A、零偏B、反偏C、正偏21、晶体管的参数ICEO称为（B）A、集电极最大饱和电流B、穿透电流C、集电极最大允许电流22、三极管是一种（B）的半导体器件A、电压控制B、电流控制C、既是电压又是电流控制23、在共发射极放大电路中，输入与输出电压的相位关系是（B）A、同相B、反相C、既不同相也不反相24、在三相桥式整流电路中，如果电源变压器副边感应的相电压的有效值为100V，则整流后的负载电