半导体制造工艺流程简介半导体制造工艺流程简介半导体制造工艺流程简介半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批-—清洗——水汽氧化--一次光刻-—检查—-清洗——干氧氧化——硼注入—-清洗—-UDO淀积——清洗——硼再扩散--二次光刻-—检查-—单结测试——清洗—-干氧氧化—-磷注入——清洗——铝下CVD-—清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查--双结测试-—清洗——铝蒸发——四次光刻——检查--氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD—-检查-—五次光刻——检查——氮气烘焙—-检查-—中测——中测检查—-粘片——减薄-—减薄后处理—-检查——清洗——背面蒸发—-贴膜-—划片——检查—-裂片——外观检查——综合检查——入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查-—前处理——基区CSD涂覆--CSD预淀积——后处理-—QC检查（R□）-—前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）—-二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox)--前处理-—发射区再扩散（R□）-—前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理--HCl氧化——前处理-—氢气处理——三次光刻-—QC检查-—追扩散-—双结测试-—前处理——铝蒸发-—QC检查（tAl)——四次光刻—-QC检查-—前处理—-氮气合金—-氮气烘焙-—QC检查（ts)——五次光刻——QC检查——大片测试—-中测-—中测检查（-—粘片—-减薄-—减薄后处理--检查——清洗—-背面蒸发——贴膜——划片——检查—-裂片-—外观检查)——综合检查——入中间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为:编批-—擦片-—前处理-—一次氧化——QC检查（tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化—-QC检查（tox)—-一GR光刻（不腐蚀）—-GR硼注入——湿法去胶-—前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□)——硼注入--前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查--单结测试-—前处理——发射区干氧氧化—-QC检查(tox）-—磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理—-POCl3预淀积（R□)——后处理——前处理——铝下CVD-—QC检查（tox)——前处理——氮气退火--三次光刻—-QC检查——双结测试-—前处理-—铝蒸发—-QC检查(tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金-—氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批--中测——中测检查—-入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：编批—-擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）-—一次光刻——QC检查—-前处理-—基区干氧氧化——QC检查（tox）——一硼注入--前处理--基区扩散-—后处理-—QC检查(Xj、R□）——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理—-QC检查（R□)—-前处理——基区氧化与扩散--QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻—-QC检查——单结测试——磷注入--前处理--发射区氧化——前处理——发射区再扩散-—前处理——POCl3预淀积（R□)—-后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试-—前处理—-铝蒸发——QC检查(tAl)——四次光刻——QC检查—-前处理——氮氢合金—-氮气烘焙-—正向测试（ts）--外协作（ts)—-前处理——五次光刻——QC检查-—大片测试——测试ts——中测编批——中测--中测检查——入中间库。变容管制造的工艺流程为：外延片-—编批——擦片—-前处理——一次氧化——QC检查-—N+光刻—-QC检查—-前处理-—干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理--N+扩散——P+光刻-—QC检查——硼注入1-—前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2-—前处理——LPCVD——QC检查—-前处理—-P+扩散—-特性光刻——电容测试——是否再加扩--电容测试-—..。。.。（直到达到电容测试要求)-—三次光刻——QC检查—-前处理—-铝蒸发—-QC检查（tAl）—-铝反刻——QC检查——前处理—-氢气合金——氮气烘焙--大片测试——中测——电容测试——粘片-—减薄-—QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。P+扩散时间越长，相同条件下电容越小。稳压管（N衬底)制造的工艺流程为：外延片-—编批——擦片-—前处理