会计学基本(jīběn)过程第1部分(bùfen)晶园制作1.1多晶生成(shēnɡchénɡ)PolySiliconCreation2采用一种叫做(jiàozuò)Trichlorosilane的物质(SiHCl3)作为溶剂，氢气作为反应环境，在钽(tantalum)电热探针指引下，经过初步提炼的硅形成晶体。这种过程需要多次，中途还会用到氢氟酸(HF)这样剧毒的化学药品，硅的纯度也随着这个过程而进一步被提高。最后生成多晶硅的硅锭。PolySiliconCreation31.2单晶制作(zhìzuò)CrystalPulling2CrystalPulling31.3晶园切片(qiēpiàn)6’Wafer6’的晶园通常采用所谓“平边”的方法(fāngfǎ)来标识晶向。8’Wafer8’的晶园采用Notch。12’,16’,……Wafer采用Notch，为什么呢？——猜想。1.4晶园抛光(pāoguāng)1.5晶园外延(wàiyán)生长第2部分(bùfen)芯片制作2.1氧化(yǎnghuà)层生长2.2有关(yǒuguān)Photo光罩制作MaskCreationPhoto的工作和照相类似，它所使用的“底片”就是光罩，即Mask，通常也被称为Reticle。光罩就是一块玻璃板，上面由铬(Cr)组成图形，例如线条、孔等等。制作光罩需要用到LaserWriter或者E-beam这样的机器，非常昂贵(这一部分不算入Photo的机台成本(chéngběn))，一般需要专门的光罩厂来制作。光罩上的图形信息由CAD直接给出，这些CAD的信息(即半导体芯片的设计)由DesignHouse提供。2.3Photo的具体步骤光阻涂布PhotoResistCoating在Photo，晶园的第一部操作就是涂光阻。光阻是台湾的翻译方法(fāngfǎ)，大陆这边通常翻译成光刻胶。光阻涂布的机台叫做Track，由TEL公司提供。光阻涂布的是否均匀直接影响到将来线宽的稳定性。光阻分为两种：正光阻和负光阻。一般而言通常(tōngcháng)使用正光阻。只有少数层次采用负光阻。曝光Exposure曝光动作的目的是将光罩上的图形传送到晶园上。0.13um，0.18um就是(jiùshì)这样做出来的。曝光所采用的机台有两种：Stepper和Scanner。左图是当今(dāngjīn)市场占有率最高的ASML曝光机。Stepper和Scanner的区别步进式和扫描式按照所使用光源(guāngyuán)来区分曝光机g-Line436nmh-Line405nmi-Line365nmKrF248nmArF193nmX-Ray(MaybeNotUse)显影和烘烤Develop&Bake曝光完毕之后，晶园送回Track进行显影，洗掉被曝过光的光阻。然后(ránhòu)再进行烘烤，使没有被洗掉的光阻变得比较坚硬而不至于在下一步蚀刻的时候被破坏掉。2.4酸蚀刻(shíkè)酸蚀刻要使用到多种酸剂，例如：腐蚀SiO2需要用氢氟酸(剧毒无比的东东(dōnɡdōnɡ))；去除光阻需要用到硫酸。2.5清洗(qīngxǐ)甩干几乎在每一步的操作后，都需要(xūyào)对晶园进行清洗。清洗晶园采用的物质通常是：DIWater(去离子水)用于清洗。高纯度的氮气，用于吹干晶园。2.6等离子体(děnglízǐtǐ)浴对于不同层次的光阻移除，采用的等离子体是不一样(yīyàng)的。例如：硅、硅化物、金属导线等等。另外，在去除光阻止后，通常还需要有一步清洗，以保证晶园表面的洁净度。2.7金属(jīnshǔ)蚀刻2.8薄膜生长(shēngzhǎng)MetalDeposition一般来说，采用PhysicalVaporDeposition(PVD；物理气相沉积(chénjī))的方法制作金属薄膜。这里面的金属薄膜包括：Aluminum(铝),Gold(金)andTungsten(钨)。金属(jīnshǔ)层用于在半导体元器件中制造通路，当然，离不开Photo的配合。CopperDeposition通常，半导体器件中的导线采用的是铝。铜导线比铝导线具有更多的优越性。铜导线电阻比铝导线小40%，这样采用铜导线的器件要快15%。铜导线不易因为ESD而导致器件破坏。它能够(nénggòu)承受更强的电流。采用铜导线的困难：当铜和硅接触的时候，会在硅中发生(fāshēng)非常快速的扩散。这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电学特性，导致三极管失效。IBM最终克服了这些困难(Damascene)：采用先做绝缘层，再做铜导线层的方法解决扩散问题。在制作铜导线层的时候，IBM采用一种铜的多晶体，进一