GaN基电子器件势垒层应变与极化研究中期报告1.研究背景：GaN基电子器件应变与极化效应一直是热门研究领域之一。应变可以影响材料的电学、光学、力学性质等方面，而极化则可引起电荷分布的改变，进而影响器件性能。因此，深入研究GaN基电子器件的应变与极化效应，对其性能优化具有重要意义。2.研究内容：本研究通过模拟分析和实验研究的手段，对GaN基电子器件的应变与极化效应进行探究。具体研究内容如下：（1）基于DFT计算方法，探究GaN材料中不同类型应变对势垒层的影响程度。（2）基于有限元模拟方法，研究不同形状、尺寸的GaN基器件中势垒层和电场分布的变化规律。（3）通过制备GaN基电子器件样品及器件测试系统，研究不同应变下器件性能的变化及其原因。3.研究目标：本研究的目标是深入理解GaN基电子器件中应变与极化效应的规律，为其性能优化提供有效的理论和实验支撑。具体目标包括：（1）探究GaN材料中不同类型应变对势垒层的影响程度，建立应变与势垒层高度的关系模型。（2）研究不同形状、尺寸的GaN基器件中势垒层和电场分布的变化规律，为器件性能优化提供理论基础。（3）研究不同应变下器件性能的变化及其原因，为实现高性能GaN基电子器件提供实验支持。4.研究意义：本研究可以深入理解GaN基电子器件中应变与极化效应的规律，为其性能优化提供有效的理论和实验支撑。研究结果有助于：（1）准确预测GaN材料中应变的影响，为设计和制备高性能GaN基器件提供理论基础。（2）深入理解GaN基器件的物理机制，为其性能优化提供理论指导。（3）对GaN基电子器件的应变与极化效应进行深入研究，为下一步研究提供新的思路和方向。