Si基应变材料能带结构研究的任务书.docx
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Si基应变材料能带结构研究的任务书任务名称:Si基应变材料能带结构研究任务背景:Si基应变材料具有优异的电学特性,是研发高性能电子器件的重要材料之一。然而,缺陷和杂质对应变材料的电子性质影响很大,因此需要深入研究Si基应变材料的能带结构,为其高性能的应用提供理论依据。任务目标:本任务旨在探究Si基应变材料的电子能带结构,并分析缺陷和杂质对其电子特性的影响,为其高性能应用提供理论支持。任务内容:1.收集Si基应变材料的实验和理论研究文献,了解其晶体结构、电学性质等基本特性。2.建立Si基应变材料的电子结构模型,并使用第一性原理方法计算其能带结构。3.分析Si基应变材料中缺陷和杂质对其电子能带结构的影响。4.探索Si基应变材料中电子输运特性和自旋极化效应。任务成果:1.给出Si基应变材料的电子能带结构和态密度计算结果。2.分析缺陷和杂质对Si基应变材料电子能带结构的影响。3.提出Si基应变材料的电子输运特性和自旋极化效应的理论预测。任务时间:本任务时间为6个月。任务预算:本任务预算为XXX元。