题型强化练(三)化学工业流程题解题突破1．(2023·湖南卷)超纯Ga(CH)是制备第三代半导体的支撑源材料之一，近年来，我国科33技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术，在研制超纯Ga(CH)方面33取得了显著成果。工业上以粗镓为原料，制备超纯Ga(CH)的工艺流程如下：33已知：①金属Ga的化学性质和Al相似，Ga的熔点为29.8℃。②EtO(乙醚)和NR(三正辛胺)在上述流程中可作为配体。23③相关物质的沸点：物质Ga(CH)EtOCHINR33233沸点/℃55.734.642.4365.8回答下列问题：(1)晶体Ga(CH)的晶体类型是__________。33(2)“电解精炼”装置如图所示，电解池温度控制在40～45℃的原因是__________________，阴极的电极反应式为_____________________________________________________________________________________________________________________________。(3)“合成Ga(CH)(EtO)”工序中的产物还包括MgI和CHMgI，写出该反应的化学方程式：33223________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(4)“残渣”经纯水处理，能产生可燃性气体，该气体主要成分是________。(5)下列说法错误的是__________(填字母)。A．流程中EtO得到了循环利用2B．流程中，“合成GaMg”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行23C．“工序X”的作用是解配Ga(CH)(NR)，并蒸出Ga(CH)33333D．用核磁共振氢谱不能区分Ga(CH)和CHI333(6)直接分解Ga(CH)(EtO)不能制备超纯Ga(CH)，而本流程采用“配体交换”工艺制备超33233纯Ga(CH)的理由是______________________________________________________33________________________________________________________________________。(7)比较分子中的C—Ga—C键角大小：Ga(CH)______(填“>”“<”或33“＝”)Ga(CH)(EtO)，其原因是332_________________________________________________________________________________________________________________________________________。解析：以粗镓为原料，制备超纯Ga(CH)，粗Ga经过电解精炼得到纯Ga，Ga和Mg反应生33产GaMg，GaMg和CHI、EtO反应生成Ga(CH)(EtO)、MgI和CHMgI，然后经过蒸发溶剂、25253233223蒸馏，除去残渣MgI、CHMgI，加入NR进行配体交换、进一步蒸出得到超纯Ga(CH)，EtO233332重复利用，据此解答。(1)晶体Ga(CH)的沸点较低，晶体类型是分子晶体。33(2)电解池温度控制在40～45℃可以保证Ga为液体，便于纯Ga流出；粗Ga在阳极失去电子，阴极得到Ga，电极反应式为Ga3＋＋3e－===Ga。(3)“合成Ga(CH)(EtO)”工序中的产物还包括MgI和CHMgI，该反应的化学方程式8CHI332233＋2EtO＋GaMg===2Ga(CH)(EtO)＋3MgI＋2CHMgI。22533223(4)“残渣”含CHMgI，经纯水处理，能产生可燃性气体CH。34(5)根据分析，流程中EtO得到了循环利用，A项正确；Ga(CH)(EtO)容易和水反应，容易2332被氧化，则流程中，“合成GaMg”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行，B项正确；25“配体交换”得到Ga(CH)(NR)，“工序X”先解配Ga(CH)(NR)后蒸出Ga(CH)，C项正33333333确；Ga(CH)和CHI二者甲基的环境不同，核磁共振氢谱化学位移不同，用核磁共振氢谱能333区分Ga(CH)和CHI，D项错误。故选D。333(6)直接分解Ga(CH)(EtO)时由于EtO