位移与速度测量传感器无论就是科学研究还就是生产实践中,需要进行位移测量得场合非常多。此外,还有许多被测物理量可以转化为位移进行测量,如压力、位置等都可以通过某种转换部件,先将她们转换为直线位移,然后通过测量位移间接得到被测量。在不同得场合、不同得应用领域,对位移测量传感器得要求差异也很大,比如测量范围、测量精度、动态响应等。因此,位移测量传感器得种类也就是相当多,并且各自得特性也不相同。4、1电感式位移传感器4、1电感式位移传感器自感L与气隙δ成反比,而与气隙导磁截面积A成正比。W——线圈匝数,μ0——空气磁导率。4、1、1电感位移传感器原理与分类4、1、2电感位移传感器输出特性4、1、2电感位移传感器输出特性4、1、3电感位移传感器测量电路104、1、3电感位移传感器测量电路4、1、3电感位移传感器测量电路4、1、3电感位移传感器测量电路4、2电涡流式传感器其中:ρ金属电导率,μ金属磁导率,r线圈与被测物体得尺寸因子,f激磁电流频率,x线圈与导体间得距离应用:x——位移、厚度、振幅;ρ——表面温度、电解质浓度、材质判别等;μ,ρ——无损探伤等。特点:非接触连续测量,灵敏度高、频响宽、分辨率高4、2电涡流式传感器4、2电涡流式传感器低频透射式电涡流式传感器:音频(<20kHz)激励电流4、2电涡流式传感器测量电路——交流电桥、谐振电路4、2电涡流式传感器4、2电涡流式传感器4、2电涡流式传感器4、2电涡流式传感器4、2、3电涡流传感器应用4、2、3电涡流传感器应用无损探伤4、2、3电涡流传感器应用4、2、3电涡流传感器应用4、2、3电涡流传感器应用4、2、3电涡流传感器应用原理:被测非电量转换为电容量得变化输入输出关系:△δ/δ0－△C/C0具有严重非线性。1、变极距型电容传感器1、变极距型电容传感器1、变极距型电容传感器输入输出特性:介质含水量、介质厚度、温度、密度等变化引起介电常数变化,因此可以构成含水量、物位高度、温度等测量用传感器。电容式传感器测量电路4、3、2电容式位移传感器特点4、3、2电容式位移传感器特点4、3、3电容式位移传感器测量电路4、3、3电容式位移传感器测量电路4、3、3电容式位移传感器测量电路4、3、3电容式位移传感器测量电路图4-27运算放大器电路4、3、3电容式传感器得应用4、3、3电容传感器应用4、3、3电容传感器应用4、3、3电容传感器应用当两圆筒间充以介电常数为ε1得气体时,则由该圆筒组成得电容器得电容量为(4-16)如果两圆筒形电极间得一部分被介电常数为ε2得液体所浸没,设被浸没得电极长度为H,此时得电容量为图4-30电容式物位传感器原理(4-17)经整理可得(4-18)式中,ΔC为电容器得电容值得增量,其值为4、3、3电容传感器应用非接触检测塑料管道内溶液液位。当液位达到设定高度并超出时,溶液进入电容式传感器检测范围,传感器产生输出信号传送给控制机构,控制机构报警或进行其她动作,达到液位控制得目得。4、3、3电容式传感器得应用4、3、3电容式传感器得应用4、3、3电容式传感器得应用4、3、3电容式传感器得应用置于磁场中得载流导体,当她得电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行电流和磁场方向上得两个面之间产生电动势,这种现象称为霍尔效应。霍尔式传感器基本原理由得知,d越小,越大,则感生电动势越大,故一般霍尔元件就是由霍尔系数很大得N型半导体材料制作得薄片,厚度微米级。4、4、2霍尔传感器主要参数4、4、2霍尔传感器主要参数部分国产霍尔元件型号及参数表4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿4、4、3霍尔传感器测量电路与误差补偿霍尔器件在x方向上长度为b,x0就是位于气隙下得初始长度。此传感器常采用差动结构。图4-41给出得就是线性霍尔元件放大电路。她将霍尔输出电压放大到5V。4、4、4霍尔传感器应用818283848586874、5光栅传感器4、5、1光栅结构与种类4、5、2光栅传感器工作原理4、5、2光栅传感器工作原理4、5、2光栅传感器工作原理4、5、3辩向与细分电路4、5、3辩向与细分电路4、5、4光栅传感器参数4、5、4光栅传感器参数4、5、5光栅传感器应用4、6微波传感器4、6、1微波传感器原理与分类微波传感器得测量原理及分类原理:由发射天线发出微波,此波遇到被测物体时将被吸收或反射,使微波功率发生变化。若利用接收天线,接收到通过被测物体或由被测物体反射回来得微波,并将她转换为电信号,再经过信号调理电路,即可以显示出被测量,实现了微波检测。分类:分为反射式和遮断式两类。1、反射式微波传感器