此文件只限BCD使用。未经公司认可不得擅自出版、复制。文件名称：FAB1工艺编码规则管理程序批准日期：2014/03/04文件编号：S-TD-B002.141.0目的：使工艺编码统一规范。2.0范围：适用于公司FAB1工艺命名、操作编码、产品代码。3.0程序3.1工艺名称：按定义规定命名工艺名称且检查没有重复的工艺名称、操作代码及文件。3.2按定义申请操作编码并定义相关的工艺操作文件，申请程序参阅《工程变更管理程序》（B-PE-B002.XX）。3.3公司内的产品代码根据客户要求填写新产品型号的申请表并由相关人员审核，最终此申请表一式三份：代工及分立器件部、TD部、生产部各保留1份。3.4内容3.4.1工艺编码3.4.1.1产品工艺代码格式如下：C8C7C6C5C4C3C2C1C02C01C1=光刻机类型C=CanonU=Ultratech(orCanon+UT)A=ASMN=Nikon(orUT+NiKon)C2=金属层特征N=无金属层A=单层金属层(湿法腐蚀)B=双层金属层(湿法腐蚀)C=单层金属层(干法腐蚀)D=双层金属层(干法腐蚀)E=单层金属层(湿法腐蚀)且需背面金属化F=单层金属层(厚铝)G=Pt/TiW+单层金属层(干法腐蚀)H=F+GJ=铜线封装（METALSTACK）K=Ti/TiN+(C)+**C3,C4=工艺代号C5=工艺特征及选项S=单层多晶D=双层多晶B=需背面金属化双极（BIPOLAR）0=未定义1,2=无注入大电阻，无单独电容层的选项3,4=只有注入大电阻（无单独电容层）的选项“4”:无高硼或无深磷5,6=只有单独电容层（无注入大电阻）的选项凡网上下载之文件均为非受控文件。此文件只限BCD使用。未经公司认可不得擅自出版、复制。文件名称：FAB1工艺编码规则管理程序批准日期：2014/03/04文件编号：S-TD-B002.14“6”:无高硼或无深磷7,8,9=既有注入大电阻又有单独电容层的选项“8”:无高硼或无深磷CMOS0=未定义CMOSHRESPBASNDI6010810071014110BiCMOS0=未定义BiCMOSGATEHRESPBASNDIDNHVRZDNTUB81110000A11000109110001151100100C0101100B0000100D0100100711101001BiCDMOS0=未定义BiCDMOSNTUBHRPSGATEBPPFLDDPS000111H110111R010111B100111C100010D000011E000001F101111G001111C6=线宽特征A>=4.0umB=3.5umC=3.0umD=2.5umE=2.0umF=1.5umG=1.2umH=1.0umJ=0.8umK=0.65umL=0.6um凡网上下载之文件均为非受控文件。此文件只限BCD使用。未经公司认可不得擅自出版、复制。文件名称：FAB1工艺编码规则管理程序批准日期：2014/03/04文件编号：S-TD-B002.140=未定义C7=工艺描述B=BipolarC=CMOSD=DMOSM=MOSQ=Bipolar+CMOSX=Bipolar+CMOS+DMOSS=特殊工艺或器件A=二极管C8=FAB代号缺省值=SIMBCDFAB1150mm标准产品9=SIMBCD外加工产品工艺及外协工艺C01,C02=二位字符表明文件版本号凡网上下载之文件均为非受控文件。此文件只限BCD使用。未经公司认可不得擅自出版、复制。文件名称：FAB1工艺编码规则管理程序批准日期：2014/03/04文件编号：S-TD-B002.143.4.1.2工艺短流程工艺组工艺描述工艺代码外延EpishiftmeasuringonASMLEPI_SHIFTEpishiftmeasuringonCanonEPISHIFTEpicontaminationmonitorshortloopES_EPIEpithicknessandres.(Mea.5pattern)TESTWAF_EPI薄膜1.2umAlSiCuC-VQCQC_MCV12PECVD_VTP_QCQC_PECVD_VTP背金290umbackgroundandTi/Ni/Ag1kA/2kA/11kAOUT_BG02_TI/NI/AGOUT_BG210outjob:backgroundto210um;290umOUT_BG290outjob:ba