NANDflash、ANDFlash和NORflash的区别Flash的架构大致上可分为具程序执行能力的NOR架构以及储存数据的NAND和AND架构，Flash与其它新兴非挥发性技术相较，最大的优势在于其可以用一般的半导体制程生产、成本低，但是其读写速度较DRAM慢，可擦写次数也有极限，加上在进入纳米制程之后，预期将会碰到物理极限，据业界人士表示Flash在45nm以下几乎不可能再有发展，所以尽管在短期内Flash依然会是非挥发性存储器主流，但地位可能不见得稳固。NORFlash存储器NORFlash市场目前由Intel和AMD公司主导，其主要功能是程序的储存，如PC中的BIOS，便携式产品像手机、PDA的快速成长是带动近年来NORFlash快速成长的主要原因，除了量的提升之外，也包括了高容量产品的需求。NORFlash尽管近两年成长不如NANDFlash，但是两者原本的市场应用要求就不同，NORFlash因为新兴应用所带来的成长还是相当可观。在技术上，Intel不久前才发表1Gb的NORFlash产品，为增加资料储存密度，Intel利用MLC(多重单元)技术，在一个储存单元存放两位数字(2bitsin1cell)。日前AMD也表示要发展密度更高的(每单元存放四位数字)技术，不过技术难度就困难许多，目前还未看到实际成绩。NAND和ANDFlash存储器以储存数据为主要功能的NAND和ANDFlash，是目前市场上最当红的存储器，近两年来的新兴应用都以此技术为主，包括小型存储卡、随身电子盘等都是。根据IDC公司的调查报告指出，快闪存储卡的全球市场规模随着便携式产品的成长而出现爆发性的需求，2001年整体市场出货量为4500万片，2002年提升到5300万片，2003年再成长到7000万片左右，2004年将突破1亿片的市场规模。不过由于NANDFlash相对上属于封闭的市场，专利权掌握在少数厂商手中，以Toshiba和Samsung公司为主，SanDisk和M-System公司也取得部分专利和技术授权，包括拥有ANDFlash专利的Renesas公司，目前数据型的Flash产能缺口大约在30％~50％之间，此情况预计在2004年中期之间才有可能缓解。而专利权的限制也造成其它厂商无法插手的情况，这也是许多厂商目前积极投入新兴非挥发性存储器技术研发的原因之一。在技术方面，数据型Flash为提高数据存储密度，也发展MLC架构；另外，Samsung日前也发表70nm制程4Gb的NANDFlash产品，尽管业界预估Flash在进入65nm之后就会出现瓶颈，45nm制程几乎就是无法突破的瓶颈，但是，在新兴的技术成熟之前Flash依然是市场最佳的选择，而且纳米级的产品要迈入量产还有一段时间，在制程进展到65nm之前，技术的再突破并非不可能，对Flash可能被完全取代的看法并不切实际。用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR的地址空间是线性访问的。被称为CodeFlash。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。NAND以page形式进行读写访问，512MB=1Sector，32Sector=1Block。与FAT16相似，称为SSFD（Solid-StateFlashDisk）。固有数据完整性缺陷。被称为DataFlash。性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。