1.0um金属栅工艺开发及转移的中期报告本次报告旨在介绍1.0um金属栅工艺的开发及转移情况的中期进展。1.研发及优化1.1工艺流程研发：根据1.0um金属栅工艺的要求，构建了完整的工艺流程，包括前处理、旋涂、暴露、显影、清洗、退火等多个步骤。在研发的过程中，我们注意到暴露后的光栅与漏光度存在严重的偏差，经过多次的优化，我们采用了微调高分辨率曝光机，在优化暴露参数方面也有所突破。1.2材料优化：在材料方面，我们尝试使用了多种类型的光刻胶，并验证不同光刻胶在工艺流程中的表现。最终确定了最佳的光刻胶选择，并优化了溶剂、溶解度等参数。1.3设备调试：建立工艺流程后，我们对设备进行调试，包括旋涂机、暴露机、清洗机等设备，保证每个环节能够达到高质量的加工参数，从而确保了工艺流程的稳定性。2.样品制备及测试2.1样品制备：通过对优化后的工艺流程进行实验，成功制备了一批具有良好光刻性能的金属栅结构样品。2.2测试分析：利用扫描电镜、原子力显微镜等表征方法对样品进行分析测试，发现样品具有较高的光刻分辨率和良好的结构性能，符合预期要求。3.工艺转移3.1工艺标准化：为了确保工艺能够均衡、高效地转移到其他实验室，在制备样品过程中我们注意到了工艺的标准化问题。我们编制了详细的工艺规范书，并制作了操作视频，建立了质量控制指标并开展了培训工作，确保了工艺的标准化及可重复性。3.2场效应管制备：在工艺转移过程中，我们还尝试制备了场效应管样品，并进行了光刻及退火等工艺。最终得到了良好的输出特性及电学性能，验证了工艺转移的效果。4.结论通过对1.0um金属栅工艺的研发及转移，我们取得了较好的中期进展。优化了工艺流程、材料及设备，并成功制备了具有良好性能的样品及场效应管。同时，建立了完善的工艺标准化规范，确保了工艺的稳定性及可重复性。在后续的研究中，我们将继续加强对工艺流程和设备的优化，推动工艺的进一步转移和应用。