第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-1-?在本章中,将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。晶园经过曝光后,器件或电路的图形被以。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图形显影。通过显影完成掩膜版图形到光刻胶上的转移(如图所示)。:不完全显影显影不足严重过显影。第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-2-俯视表层光刻胶正确显影显影不足曝光后不完全显影显影后严重过显影晶圆(a)(b)正光刻胶负光刻胶显影剂二甲苯冲洗水Stoddard剂溶n-酸丁酯醋氢氧化钠第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-3-?当负性光刻胶经过曝光后,它会发生聚合,在聚合与未聚合之间有足够高的分辨率,从而在显影过程中聚合的区域只会失去很小部分光刻胶,???未聚合的区域则在显影过程中分解,但由于两个区域之间总是存在过渡区,过渡区是部分聚合的光刻胶,所以,显影结束后必须及时冲洗,使显影液很快稀释,保证过渡区不被显影,使显影后的图形得以完整。掩膜版反光刻胶层晶圆聚合的光刻胶部分聚合的光刻胶未聚合的光刻胶第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-4-?对于正性光刻胶,聚合与未聚合区域的溶解率约为1:4。这意味着在显影中总会从聚合的区域失去一些光刻胶。使用过渡的显影液或显影时间过长都会导致光刻胶太薄而不能使用。通常要求不高的正光刻胶显影使用,对制造敏感电路使用的溶液。正性光刻胶的显影工艺比负性光刻胶更为敏感,影响的因素有:显影工艺参数由所有变量的测试来决定。图9.4显示了一个特定的工艺参数对线宽的影响。第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-5-图9.4显影剂温度和曝光关系与线宽变化的比较20s光曝16s光曝12s光曝8s光曝光刻胶厚度:mm1持续曝光时间:0s5(基于8F8s曝光)显影剂浓度:0%5曝光后烘焙:无线宽变化(mm)F+1.50+1.40+1.30+1.10+0.90+0.90+0.70+0.50+0.10+0.1068727680第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-6-?显影方式分为:??最原始的方法。就是将待显影的晶园放入盛有显影液的容器中,经过一定的时间再放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗。比较简单,但存在的较多,比如:。?显影系统如图9.7所示。由此可见,显影剂和冲洗液都是在一个系统内完成,每次用的显影液第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-7-和冲洗液都是新的,所以较沉浸系统清洁,由于采用喷射系统也可大大节约化学品的使用。所???此工艺很受欢迎,特别是对负性光刻胶工艺。对正性光刻胶工艺来?因为温度的敏感性,当液体在压力下从喷嘴喷出后很快冷却,要保证温度必须加热晶园吸盘。从而增加了设备的复查性和工艺难度。冲洗显影剂真空第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-2-?虽然喷射显影有很多有点,但对正性光刻胶显影还存在一些问题,混凝显影就是针对所存在地问题而改进的一种针对正性胶的光刻工艺,差别在于显影化学品的不同。如图所示,首先在静止的晶园表面上覆盖一层显影液,停留一段时间(吸盘加热过程),在此过程中,大部分显影会发生,然后旋转并有更多的显影液喷到晶园表面并冲洗、干燥。第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-9-?液体工艺的自动化程度不高,并且化学品的采购、存储、控制和处理费用昂贵,取代液???化学显影的途径是使用,该工艺现已非常成熟。在此工艺中,离子从等离子体场得到能量,以化学形式分解暴露的晶园表面层。干法光刻显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的之一易于被氧等离子体去除。具体内容在第十章中介绍。9.2硬烘焙的作用是蒸发湿法显影过程中吸收在光刻胶中溶液,增加光刻胶和晶园表面的粘结能力,保证下一步的刻蚀工艺得以顺利进行。第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-10-?在方法和设备上与前面介绍的软烘焙相似。?时间和温度仍然是主要的工艺参数,一般是制造商推荐,工艺工程师精确调整。对一般使用的对流炉,温度:130~200℃,时间:30分钟。对其他方法温度和时间各不相同。热烘焙增加粘度的机理是光刻胶的脱水和聚合,从而增加光刻胶的耐蚀性。烘焙温度太低,脱水和聚合不彻底,温度??高光刻胶容易变软甚至流动(如图9.9所示),所以温度的控制极为严格。硬烘焙是在显影后立即进行,或者在刻蚀前进行,工艺流程如图9.10第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-11-图9.9光刻胶在高温下的流动硬烘焙工艺流程显影检验硬烘焙刻蚀刻蚀刻蚀显影烘焙/显影烘焙/检验检验重新烘焙第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验-12-?任何一次工艺过后都要进行检验,经检验合格的晶园流入下一道工艺,对显影检验不合格的晶园可以返工重新曝光、显影。工艺流程如图所示。?图形