1半导体二极管自我检测题一.选择与填空1.纯净得、结构完整得半导体称为本征半导体,掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子就是电子。2.在本征半导体中,空穴浓度C电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度B电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度A电子浓度。(A.大于,B.小于,C.等于)3、在杂质半导体中,多数载流子得浓度主要取决于C,而少数载流子得浓度与A关系十分密切。(A.温度,B.掺杂工艺,C.杂质浓度)4、当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。(A.大于,B.小于,C.等于,D.变宽,E.变窄,F不变)5.二极管实际就就是一个PN结,PN结具有单向导电性,即处于正向偏置时,处于导通状态;反向偏置时,处于截止状态。6、普通小功率硅二极管得正向导通压降约为_B,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管得正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。(A.0、1～0、3V,B.0、6～0、8V,C.小于,D.大于)7、已知某二极管在温度为25℃时得伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为T1时得伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管得死区电压为0、5伏,反向击穿电压为160伏,反向电流为10-6安培。温度T1小于25℃。(大于、小于、等于)图选择题78.PN结得特性方程就是。普通二极管工作在特性曲线得正向区;稳压管工作在特性曲线得反向击穿区。二.判断题(正确得在括号内画√,错误得画×)1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。(×)2.在P型半导体中,掺入高浓度得五价磷元素可以改型为N型半导体。(√)3.P型半导体带正电,N型半导体带负电。(×)4.PN结内得漂移电流就是少数载流子在内电场作用下形成得。(√)5.由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。(×)6.PN结方程既描写了PN结得正向特性与反向特性,又描写了PN结得反向击穿特性。(×)7.稳压管就是一种特殊得二极管,它通常工作在反向击穿状态(√),它不允许工作在正向导通状态(×)。习题1、1图题1、1各电路中,,忽略D得导通压降与死区电压,画出各电路相应得输出电压波形。图题1、1解:(a)图中,vi>0时,二极管截止,vo=0;vi<0时,二极管导通,vo=vi。(b)图中,二极管导通,vo=vi+10。(c)图中,二极管截止,vo=0。1、2求图题1、2所示电路中流过二极管得电流ID与A点对地电压VA。设二极管得正向导通电压为0、7V。图题1、2解:(a)(b)得1、33电路如图题1、3所示,已知D1为锗二极管,其死区电压Vth＝0、2V,正向导通压降为0、3V;D2为硅二极管,其死区电压为Vth＝0、5V,正向导通压降为0、7V。求流过D1、D2得电流I1与I2。图题1、3解:由于D1得死区电压小于D2得死区电压,应该D1先导通。设D1通、D2截止,此时TOC\o"1-1"D2两端电压＝I1×100＋0、3＝0、45V小于D2得开启电压,所以D2截止,因此I2＝0TOC\o"1-1"1、4设二极管得正向导通压降可以忽略不计,反向饱与电流为10μA,反向击穿电压为30V,并假设一旦击穿反向电压保持30V不变,不随反向击穿电流而变化。求图题1、4中各电路得电流I。图题1、4解:(a)图中,两个二极管导通,TOC\o"1-1"(b)图中,由于D2反向截止,所以电流为反向饱与电流10μA。TOC\o"1-1"(c)图中,D2反向击穿,保持击穿电压30V,所以TOC\o"1-1"(d)图中,D1导通,TOC\o"1-1"1、5试确定图题1、5(a)与图(b)中得二极管就是否导通,并计算电压V1与V2得值(设二极管正向导通电压为0、7V)图题1、5解:(a)图中,D导通,V1＝0、7+V2=8、23VTOC\o"1-1"(b)D截止,I=0,V1＝12V,V2＝0VTOC\o"1-1"1、6忽略图题1、6中二极管得死区电压,试判断图中二极管就是否导通。图题1、6解:先将D断开,计算A、B点对地电压(a),所以D1导通TOC\o"1-1"(b),所以D2截止TOC\o"1-1"1、7设图题1、7中二极管得导通压降为0、7V,判断图中各二极管就是否导通,并求出Vo得值。图题1、7解:先假设所有二极管都截止,瞧哪个二极管得正偏电压高,先导通。(a)图中,所以,D2先导通,导通后VO＝3-0、7=2、3V,D1截止。TOC\o"1-1"