会计学辉光(huīɡuānɡ)放电和等离子体A溅射气压1.3-13Pa，太低和太高都不利于薄膜的形成。阴-阳极距离适中，大约为阴极暗区的2倍溅射电压1-5KV。靶材必须为金属。不能溅射介质材料(正离子打到靶材料上产生正电荷积累,靶表面电位升高,正离子不能继续轰击靶材料,溅射终止)为保证薄膜的均匀性，阴极面积大约为衬底的2倍。结构简单;可长时间进行(jìnxíng)溅射;;溅射速率底;基板表面因受到电子轰击而有较高温度.射频溅射装置(zhuāngzhì)及特性射频溅射的工作(gōngzuò)原理磁控溅射装置(zhuāngzhì)及特性磁控溅射装置(zhuāngzhì)及特性反应溅射装置(zhuāngzhì)及特性反应溅射装置(zhuāngzhì)及特性靶中毒：反应气体与靶反应，在靶表面形成化合物；沉积膜的成分不同于靶材；化合物靶材溅射后，组元成分（氧、氮）含量下降(xiàjiàng)，补偿反应气体；调整氩气和反应气体分压，可控制化合物薄膜的组成、沉积速率和薄膜性能。/1.材料的蒸发温度2.比较电阻热蒸发和电子束蒸发的特点(tèdiǎn)3.讨论磁控溅射系统是怎样提高沉积速率的？感谢您的观看(guānkàn)！