4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究的中期报告该中期报告主要涉及4H-SiC高压肖特基二极管及其结终端技术研究的进展。在4H-SiC高压肖特基二极管的制备方面，研究团队采用了金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长p型4H-SiC材料，并采用离子注入技术形成浅n+层。经过制备和测试，团队获得了最大反向击穿电压达5.6kV的p型/浅n+SiC肖特基二极管器件。同时，还对器件的温度依赖性进行了研究，结果表明在室温~300℃的温度范围内，器件反向漏电流随温度升高而略微增加。在4H-SiC肖特基二极管的结终端技术研究方面，研究团队提出了一种新型嵌入式SiO2氧化保护层（EOP）结构，并对其进行了电学和热学测试。结果表明，在未施加电场的情况下，EOP结构的串联电阻约为5.0Ω，相较于传统的浅p+/n-结终端技术，具有更低的串联电阻。此外，团队还通过模拟计算分析了EOP结终端技术对器件性能的影响。结果显示，EOP结终端技术可以显著提高器件的击穿电压和开关速度。总的来说，该中期报告展示了4H-SiC高压肖特基二极管及其结终端技术研究的具体进展情况，为未来深入开展相关应用研究提供了一定的参考参考。