7半导体存储器和可编程逻辑器件几个基本概念：二、存储器的分类：3、按存、取功能分类：掩模ROM（固定ROM）2)随机存取存储器（读写存储器）RandomAccessMemory，简称RAM7.2随机存取存储器RAM（P341）（读写存储器）1、RAM存储器的基本结构存储单元是存储器的最基本存储细胞，能存放一位二值数据。由于存储器的容量巨大，一般都把存储单元排列成矩阵形式。采用双译码（行、列译码），用两条地址线来共同选择存储单元。2、RAM的存储单元显然，只有X,Y选择线都是高电平，内部输入、输出才和外部数据线连接，也就是该存储单元被选中。1、利用锁存器或触发器保存数据，所以数据是非破坏性读出，一次写入，可以反复读出，对存储的数据没有反作用。(2)动态存储单元(DRAM)因此，每次读出后必须及时给电容再次充电，维护其内容。此外，C上电荷也不能长时间维持，所以还必须定时对电容充电，称为再生或刷新。X,Y选中该单元，控制管开通。数据从DI输入，经写入刷新控制电路，对电容充、放电。只选通行选择线X,并令R/W=1;(3)单管存储单元5位行地址码决定32条行选择线；3位列地址码决定8条列选择线；每4列存储单元连接在相同的列地址译码线上，组成一个字列。每行可存储8个字，每个字列存储32个字，共有32×8=256个组合，总的存储容量就是256×4=1024个存储单元。每个由X，Y共同选中的单元中实际包含了4个1位数据存储单元，表示一个4位数据。RAM容量扩展若做地址扩展：则把低位地址并联入各个芯片，高位地址经译码作为各个芯片的片选信号。3、输入输出控制电路4、SRAM的读写操作及时序图工作模式（a）(2)写操作及时序图7.1只读存储器(ROM)(P332)存储矩阵字线与位线的交点都是一个存储单元。交点处有二极管相当存1，无二极管相当存02、可编程ROM例如：A1A0=10，Y2=1，Y0、Y1、Y3=0(2)EPROM(光擦除可编程ROM)写入数据前，浮栅不带电，要使浮栅带负电荷，必须在栅极和漏极加上高电压。(3)E2PROM(4)快闪存储器FLASHROM相同点：1)均为电擦除，不需要专门的工具写入和擦除。2)内部需要有升压电路，擦除时间短(ms级)；EPROM集成电路ROM的读操作与时序图7.3可编程逻辑器件3、可编程逻辑器件（ProgrammableLogicDevice，简称PLD）特别是90年代后推出的在系统可编程器件(In-SystemProgrammablePLD，简称ISP-PLD），及与之配套的开发系统软件，为用户提供了更为方便的设计手段。1、PLD的分类1、简单PLD(PAL，GAL)(2)基本电路结构与阵列、或阵列均可编程(PLA)与一般PLD采用与-或逻辑阵列加上输出逻辑单元的结构形式不同，是由若干独立的可编程逻辑模块组成。采用静态存储器3、CPLD(ComplexprogrammablelogicDevice)——称为复杂的可编程逻辑器件包括：通用逻辑模块GLB；输入/输出单元IOC；可编程内部连线区RP；编程控制电路。CPLD编程简介计算机根据用户编写的源程序运行开发系统软件，产生相应的编程数据和编程命令，通过五线编程电缆接口与CPLD连接。值得指出的是：由于微电子技术的发展、可编程逻辑器件和相应的编程语言和编程软件的出现，不仅改变了电子设计的方法和手段，而且，使电子设计的理念发生了质的飞跃。(1)将数字系统从结构上划分为数据处理单元和控制单元两部分；a.接受控制单元发来的控制信号，对输入的数据进行算术运算、逻辑运算、移位操作等处理；b.输出数据；c.将处理过程中产生的状态信息反馈到控制单元。(2)若数据处理单元和控制单元仍比较复杂，可以在其内部多重地进行逻辑划分，分解成几个子模块进行逻辑设计；指以计算机为工作平台，借助于融合了应用电子技术、计算机技术、智能化技术最新成果而研制成的电子CAD通用软件包，进行IC设计、电子电路设计、PCB设计等(3)ESDA阶段：真正意义上的电子系统设计自动化。是当今电子设计技术的最新发展方向。目前，EDA技术的研究已经涉及电子设计的全过程，有系统级、电路级和物理级各个层次的设计。涉及的电子系统从低频、高频到微波，从线性到非线性，甚至从数字到模拟。通知