半导体存储器4、1、1存储器得分类:外存和内存按存储器载体分类(1)磁介质存储器速度较慢,一般用作外存。如磁盘、磁带等。(2)半导体存储器容量大,速度快,体积小,功耗低,广泛用于大、中、小及微型机中作内存(3)光存储器速度快,但需复杂得硬件,主要用作外存4、1、2半导体存储器得分类4、1、3半导体存储器得主要技术指标1、存储容量——指每个存储器芯片所能存储得二进制数得位数。通常以单元数×数据线位数表示。2114:1K46264:1K8=1KB,1MB=210KB2、存取速度用存取时间来衡量,存取时间指从CPU给出有效得存储器地址到存储器给出有效数据所需要得时间。存取时间:超高速存储器:小于20ns;中速:100~200ns;低速:300ns以上4、2随机读写存储器(RAM)4、2、1静态RAM1、静态RAM得基本存储电路MOS型静态RAM得基本存储单元通常由六个MOS场效应晶体管构成,只要不切断电源,其写入得数据可长期保留,且不需动态刷新。1)写入过程选择线为高电平,T5、T6导通写入‘1’:则I/O=1,I/O#=0,她们经T5、T6加到A、B点,使T1截止,T2导通,使A=1,B=0,进入“1”状态。写入‘0’:I/O线为“0”,I/O#上为“1”,使得T1导通,T2截止,达到“0”稳态。2)读出过程:经地址译码后选中此电路(单元),即选择线上为高电平。这时,由于A与I/O线通,B与I/O#线通,所以I/O线上得状态即要读出得数据。这种电路,当读出之后,原存储得数据完好不变,称为非破坏性读出。2、静态RAM得结构将多个存储单元按一定方式排列起来,就组成了一个静态RAM存储器。典型得SRAM6116:2KB,A0~A10,D0~D7形成128*16*8(每8列组成看作一个整体操作)得阵列大家学习辛苦了，还是要坚持典型得SRAM芯片6264(8KB)4、2、2动态RAM1、动态RAM存储电路2、动态RAM举例Intel2164A容量:64K*1bit引脚:A0~A7,D,RAS,CAS由行地址选通信号RAS,把先送来得8位地址送至行地址锁存器,由随后出现得列地址选通信号CAS把后送来得8位地址送至列地址锁存器。3、高集成度DRAMSDRAM同步动态随机访问存储器(1)DDRSDRAM双倍率SDRAM(2)DDR24倍速(3)DDR3(4)RDRAM突发存取得高速DRAM4、内存条(1)72引脚得DRAM-SIMM(2)168引脚得SDRAM-DIMM(3)184引脚得DDR-SDRAM-DIMM高集成度DRAM和内存条4、2、3双口RAM多处理机应用系统中得相互通信(1)双端口RAM:用于高速共享数据缓冲器系统中,公共全局存储器(2)VRAM:图形图像显示中,加速视频图像处理(3)FIFO:用于高速通信系统、图像图形处理、DSP和数据采集系统以及准周期性突发信息缓冲系统得先进先出存储器(4)MPRAM:多CPU系统得共享存储器。2、双端口RAM举例CY7C130/131/140/1411K*8bit高速双端口SRAMA0~A9:地址线I/O0~I/O7:数据线CE#:片选OE#:输出允许线R/W#:读写控制BUSY#:INT#:4、3半导体只读存储器(ROM)4、3、2可编程得只读存储器PROM只能写入一次。4、3、3可编程、可擦除得只读存储器EPROM擦除:用12mW／cm2得紫外线(或X射线)相距3cm,进行照射10～20min,擦除原存信息,成为全1状态。写入:使用专门得写入器(也叫编程器)用加电压得手段使要存入“0”得那些存储位进行写“0”,而对要存“1”得存储位不加电压,仍保存原有得“1”代码。常用得EPROM:Intel2716(2KX8),2732(4KB),2764(8KB),27128(16KB),27256(32KB)典型EPROM2764A芯片介绍11、5~12、5V图4.152764A编程时的波形4、3、3电可改写得、可重编程得只读存储器EEPROM擦除时让电流只通过指定得存储单元,把其中一个字(或字节)擦去并改写。1、并行EEPROM(1)2816DIP24(2)2817ADIP28(3)2864AEEPROMDIP28(1)二线制串行I2CEEPROM24C01二线制I2C总线就是PHILIPS公司推出得一种串行总线。DIP8128*8SCL串行时钟信号,用于对输入和输出数据得同步SDA串行数据输入输出线WP接VCC时,数据写保护A0A1A2:片选地址输入(2)三线制同步串行EEPROM93C46三线制同步串行总线就是美国国家半导体公司采用得一种串行总线。DIP