PECVD制备a-SiC：H薄膜及激光退火研究的中期报告介绍：本研究通过PECVD技术制备了一系列具有不同C含量的a-SiC：H薄膜，并分别进行了激光退火处理。对薄膜结构、光学特性、电学特性等进行了表征和分析。实验方法：使用PECVD技术在p型硅衬底上制备了一系列a-SiC：H薄膜，其中气体流量和功率等参数进行了控制以实现不同的C含量。随后使用激光退火对薄膜进行处理，研究了不同功率和时间的激光退火对薄膜的影响。实验结果：不同C含量的a-SiC：H薄膜在激光退火之后呈现出不同的光学、电学和结构特性。随着C含量的增加，薄膜的光学带隙逐渐变窄，而电学特性则更趋于p型，这可能与C-Si密度的变化有关。激光退火可以明显提高薄膜的结晶度，同时也有利于薄膜的电学性能提高和光学特性改善。结论：本研究使用PECVD技术制备了一系列a-SiC：H薄膜，并通过激光退火进行了处理。实验结果表明不同C含量的薄膜在激光退火之后表现出不同的光学、电学和结构特性。激光退火可显著提高薄膜的结晶度，同时也有利于薄膜的电学性能提高和光学特性改善。