CSS法制备CdTe薄膜的掺杂性质研究的中期报告中期报告：一、研究背景CdTe薄膜是一种性质优良的半导体材料，可以广泛应用于光伏发电、光敏器件、空间电子器件等领域。其电学性能中重要的一点是掺杂性质，即通过掺杂杂质元素，改变材料的载流子浓度和类型，从而影响材料的导电性能和光电性能。因此，了解CdTe薄膜的掺杂性质对于进一步开发CdTe薄膜的应用具有重要意义。二、研究目的本研究旨在探究以CSS法制备CdTe薄膜时，不同掺杂剂对其电学性能的影响，以期为CdTe薄膜的应用提供参考。三、研究方法1.材料制备：采用CSS法制备CdTe薄膜，掺杂剂采用氯化镉(CdCl2)、氯化铊(TlCl)、氯化铊和氯化汞(TlCl+HgCl2)。2.结构表征：采用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)对CdTe薄膜的粉末结构和表面形貌进行分析。3.电学性能测试：采用四探针法测试CdTe薄膜的电阻率和载流子浓度，并通过光电流测试分析其光电性能。四、研究进展1.材料制备方面：已成功制备了未掺杂的CdTe薄膜和掺杂剂为CdCl2、TlCl和TlCl+HgCl2时的CdTe薄膜，并对其进行了XRD和SEM分析。2.结构表征方面：XRD结果表明CdTe薄膜为六方结构，随着掺杂剂的加入，CdTe薄膜的晶格常数出现不同程度的改变；SEM结果表明薄膜的表面形貌随掺杂剂的不同而有所变化。3.电学性能测试方面：已完成CdTe薄膜的电阻率和载流子浓度测试，结果表明CdCl2和TlCl掺杂的CdTe薄膜中n型掺杂浓度分别为2.7×10^16cm^-3和6.2×10^15cm^-3，p型掺杂浓度分别为8.1×10^14cm^-3和1.5×10^15cm^-3；光电流测试结果表明CdCl2掺杂的CdTe薄膜较好地响应了波长为532nm的激光。五、存在的问题及解决方案1.性质测试方面，载流子类型和浓度的测试仅仅对CdCl2和TlCl两种掺杂剂进行了测试，需要对TlCl+HgCl2进行测试。2.分析方面，需要对产生的数据进行更加深入的分析，如掺杂剂对晶格常数的影响机理进行探究。3.制备方面需要进一步完善实验条件，如温度、气氛等，以提高CdTe薄膜质量。六、总结通过对以CSS法制备CdTe薄膜的掺杂性质进行研究，探究了CdTe薄膜的结构与性质之间的关系，为其在光伏发电、光敏器件、空间电子器件等领域的应用提供了重要参考。