BTO基铁电薄膜的制备与介电性能研究的中期报告本次中期报告主要介绍了BTO基铁电薄膜的制备及其介电性能研究情况。1.制备方法本研究采用射频磁控溅射法在氧气环境下制备BTO基铁电薄膜。具体步骤如下：（1）清洗基底：将硅基底用丙酮和乙醇分别超声清洗20分钟，再用去离子水进行清洗，最后在空气中干燥。（2）制备铁电薄膜：将陶瓷BTO靶材放置在射频磁控溅射系统内，加入适量的氧气，将硅基底放置于靶材正对的位置，用射频电源进行溅射。利用旋转衬底技术可使得薄膜更加均匀。（3）退火：将制备好的样品在氧气中进行700℃、2小时的热处理，去除薄膜中的残余应力，提高薄膜的质量。2.结果分析通过电子显微镜和X射线衍射仪的观察和分析，发现制备的BTO基铁电薄膜具有良好的结晶性和较好的平整度。薄膜的晶格常数为4.02Å，并且具有良好的电学性质，比如高压电常数和低介电损耗等特点。此外，我们还进行了介电常数测试，发现样品在室温下具有高介电常数，达到了3940。3.结语以上为本次中期报告的主要内容，通过射频磁控溅射法成功制备出了高质量的BTO基铁电薄膜，并且进行了介电性能测试。未来将进行更深入的研究，探索及优化该薄膜的制备工艺和优化其物理和电学性质。