PSTT铁电薄膜的制备和性能研究的中期报告中期报告：PSTT铁电薄膜的制备和性能研究一、研究目的和背景PSTT（Pb,Sr)(Ti,Ta)O3是一种新型的铁电材料，具有较高的铁电性能和良好的稳定性，在电子器件、储能器和传感器等领域有广泛的应用前景。本研究旨在探究PSTT薄膜的制备方法和性能表现，为其应用提供基础研究支持。二、研究内容1.PSTT薄膜的制备采用溶胶-凝胶法制备PSTT前驱体，通过旋涂、电子束蒸发、射线热处理等工艺制备PSTT薄膜。考察不同制备过程对薄膜物相结构、形貌和表面粗糙度的影响。2.PSTT薄膜的物理性质测试采用X射线衍射仪、原子力显微镜等仪器测试PSTT薄膜的物理性质。包括物相结构、晶格常数、表面形貌、厚度等方面的测量。同时，采用高强度电场下的极化测试、交流电性能测试等方法研究其铁电性能。三、中期成果1.成功制备了PSTT前驱体，探究了制备工艺对物质的影响，得到了优化工艺条件。2.成功制备了具有单晶相结构和良好表面形貌的PSTT薄膜，并通过AFM测试得到了不同表面粗糙度的结果。3.通过电场卡曼光谱测试，得到了PSTT铁电薄膜的极化行为，验证了其铁电性能。4.表征了薄膜的结构、组成及物理性质，为进一步研究铁电薄膜的应用奠定了基础。四、展望1.探究制备工艺对薄膜性能的影响，在薄膜的表面形貌、组成、厚度均匀性等方面进行优化，提高薄膜性能和制备效率。2.研究PSTT铁电薄膜在不同电场强度、温度条件下的极化表现，探究其铁电特性机理。3.探究PSTT薄膜在器件中的应用，为电子器件、传感器等领域的发展贡献力量。