几种宽带隙半导体材料的场发射特性研究的中期报告本研究旨在探究几种宽带隙半导体材料的场发射特性。首先，我们选取了氮化硼（BN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）三种宽带隙半导体材料作为研究对象。我们通过激光热升华（LaserThermalEvaporation，LTE）的方法在金片上制备了不同种类的宽带隙半导体薄膜。然后，我们对这些半导体薄膜进行表面形貌扫描仪、荧光谱仪、拉曼光谱仪等分析测试。其次，我们设计了一个专门的场发射测试系统，用于研究这些材料的场发射性能。我们首先对BN、SiC和ZnO薄膜的表面形貌、光学特性进行了分析。结果表明，三种材料的表面均匀平整，无显著缺陷和杂质，透光率高，能带结构明显。通过拉曼光谱仪和荧光谱仪分析，我们进一步证实了这些材料的结构稳定和物理性质。接着，我们对这些材料的场发射特性进行了系统研究。我们在恒定的电压和电流的条件下，测量了这些材料的场发射电流密度及稳定性，并分析了电流密度随电压变化的规律性。结果表明，BN材料具有较高的场发射电流密度，稳定性较好；ZnO材料的场发射电流密度较为稳定，但相对较低；SiC材料的场发射电流密度较为低，但其稳定性较好。此外，我们还将这些材料的场发射特性与其结构、尺寸、形貌等进行了关联分析，并讨论了对材料场发射性能的影响因素。综合以上研究结果，我们认为这些宽带隙半导体材料具有很大的应用潜力，并且对于其场发射性能的探究和优化具有重要的意义。