宽带隙半导体材料宽带隙半导体材料得优势什么就是宽带隙半导体？最受重视得宽带隙半导体制备蓝光LED得宽带隙半导体III族氮化物研究发展氮化物研究得几个重大突破部分化合物半导体得带隙宽度氮化物三元合金得X射线衍射谱大家有疑问的，可以询问和交流宽带隙半导体材料得特点宽带隙半导体材料得技术应用面临得几个科学技术问题III族氮化物得晶体结构SiC与ZnO得晶体结构GaN得极性(polarity)自发极化与压电极化纤锌矿GaN中自发极化得来源极化诱导界面电荷积累AlGaN/GaN异质结中得二维电子气外延GaN得衬底材料GaN异质外延生长III族氮化物与蓝宝石衬底得失配异质外延GaN层得临界厚度GaN外延技术:MOCVD与MBE阴极荧光谱(CL)用于缺陷表征横向外延GaN—降低位错密度ELO-GaN制备长寿命激光器HVPE用于GaN厚膜外延GaN体材料在高亮LED应用中优势GaN得电学性质III族氮化物得N型掺杂III族氮化物得P型掺杂GaN在高电场下得输运性质GaN就是制备微波功率器件得理想材料GaN得光学性质时间分辨PL谱表征GaN质量GaN基LED结构III族氮化物紫外探测器AlGaN光导型探测器氮化物PIN型探测器ZnO基宽带隙半导体材料目前ZnO半导体研究热点ZnO合金及能带工程ZnO基纳米结构ZnO得能带结构ZnO得PL光谱ZnO得制备技术ZnO得器件应用ZnO基PIN发光二极管LEDSiC单晶得能带结构SiC晶体制备—升华法SiC薄膜得制备SiC得晶体质量与器件进展SiC制备LED器件SiC基紫外探测器SiC基场效应晶体管