几种宽带隙半导体材料的场发射特性研究的任务书任务名称：几种宽带隙半导体材料的场发射特性研究任务背景：宽带隙半导体材料具有很好的电学和光学性能，被广泛应用于高功率电子器件、光电器件及高温材料等领域。场发射是一种重要的电子发射方式，其研究对于能源、电子学等领域具有重要的意义。任务内容：1.选择数种宽带隙半导体材料进行研究，包括但不限于碳化硅、氮化硼等。分析它们的物理和化学性质，以及制备方法和表面形貌等。2.研究这些材料在不同温度和电场下的场发射特性。通过分析发射电流和电场强度的关系，确定材料的场发射特性。3.确定产生场发射的机制：是由于热发射、富勒烯效应还是场增强效应。4.对不同材料的场发射性能进行比较研究，确定它们的优缺点。分析主要因素，探究材料性质与场发射特性之间的联系。5.结合实验和理论模拟，对宽带隙半导体材料的场发射机制进行探讨，对其未来应用提供理论和实验基础。任务目标：1.研究不同宽带隙半导体材料的场发射特性，比较它们的性能和应用前景。2.确定产生场发射的机制，并探索其物理本质。3.探究材料电性能与场发射特性之间的联系，为制备更优越的材料提供理论指导。4.对当前材料的场发射性能进行评估和改进，为其在电子学和能源等领域的应用提供技术支持。5.对未来宽带隙半导体材料的应用进行展望，促进材料研究和产业化进程。