二.元件符号可以限流、分压、降压、保护、启动、取样、去耦和信号衰减等作用。色环电阻可变电阻黑0棕1红2橙3黄4绿5兰6紫7灰8白9贴片电阻只要是R在最前面，即表示阻值小于1Ω。如R22=0、22欧电容的单位有法拉F、毫法nF、微法uF、纳法nF和皮法pF（又叫微微法）。可变电容1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示（1）字母表示法：1F=1000mF1mF=1000uF1P2=1.2PF1nF=1000PF（2）数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率（零的个数）。如：102表示10×10PF=1000PF224表示22×10PF=0.22uF电容器对交流电有一定的阻碍作用，这一阻碍作用称为电容的容抗。用Xc表示。电容能通过交流电，当交流电的频率（用f表示）和电容的容量（用C表示）不同时，电容对交流电的阻碍作用——容抗也是不一样的。电容器的容抗Xc由下列公式决定：Xc=1/2πfc式中：f为交流信号的频率；c为电容的容量。容抗的单位是欧。检测电解电容3、二极管发光二极管实物图正向电阻小反向电阻大4.线圈和变压器变压器铁芯（硅钢片），作用是增强导磁力。继电器电感与感抗：当线圈中的电流大小发生变化时，在线圈中就会产生自感现象。通入线圈的电流越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。如果通过线圈的磁通量用φ表示，电流用I表示，电感用L表示，那么L＝φ／I。电感的单位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）1H=1000mH1H=1000000uH。感抗：XL＝2πfL（欧姆）π——圆周率，3.1415.....f——频率（Hz）L——电感量标注方法5.三极管塑封三极管三极管的工作状态：三极管的电流放大作用三极管的开关作用6、单结晶体管检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。7、可控硅单结、可控硅的应用电路双向可控硅8、场效应管场效应管具有放大作用和输入阻抗高的特点。（1）用电阻法：判别结型场效应管的电极。将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。判别是N沟还是P沟管，当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。19、集成块集成电路的特点：集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。是各类实用电路中功耗最低的。比如TTL集成电路的平均功耗为10mw是CMOS电路的10倍。但CMOS集成电路的动态功耗随工作频率的升高而增大。b、输入电容小和输入阻抗高：CMOS电路的输入特性用输入电流和电容表示，由于电路的输入电阻很高，输入电路一般小于0.1uA；输入电容是各种杂散电容总和，一般在5pF左右。