邯郸学院本科毕业论文题目超宽带InAs/InP量子点、量子线激光器的研究学生指导教师讲师年级2007级专业物理学二级学院物理与电气工程系（系、部）邯郸学院物理与电气工程系2011年5月郑重声明本人的毕业论文是在指导教师杨新荣老师的指导下独立撰写完成的。如有剽窃、抄袭、造假等违反学术道德、学术规范和侵权的行为，本人愿意承担由此产生的各种后果，直至法律责任，并愿意通过网络接受公众的监督。特此郑重声明。毕业论文作者（签名）：年月日PAGEII摘要利用固源MBE设备生长出光谱较宽的InAs/InP量子点或量子线材料，对InAs/InAlGaAs/InP(001)体系利用PL（光致发光）谱对其光学特性进行了测试和研究，并对有失配间隔层的样品中所出现的多峰结构进行了表征，对其在15K-50K范围内PL强度随温度增加的奇异现象进行了初步的分析探讨。关键词InAs/InP量子点量子线激光器超宽带StudyofInAs/InPquantumdashlasterwithultrawide-gainbandwidthWangWeiDerictedbyLecturerYangXinrongAbstractSelf-assembledInAsquantumwires(dots)havebeengrownonaInPsubstratebysolid-sourcemolecularbeamepitaxy(SSMBE).Photoluminescencespectrawereinvestigatedinthesenanostructures.Themulti-peakstructureofthesamplewiththelattice-mismatchmatrixlayerwascharacterized.AnanomalousenhancementofPLintensitywasobservedfromInAsnanostructuresgrownonInPsubstrateusingInAlGaAsasthematrixlayerandtheorigimnofthisphenomenonisdiscussed.KeywordsInAs/InPquantumdots(wires)laserUltra-wideband目录TOC\o\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc294614954"摘要PAGEREF_Toc294614954\hIHYPERLINK\l"_Toc294614955"AbstractPAGEREF_Toc294614955\hIIHYPERLINK\l"_Toc294614956"1引言PAGEREF_Toc294614956\h1HYPERLINK\l"_Toc294614957"2背景介绍PAGEREF_Toc294614957\h1HYPERLINK\l"_Toc294614958"2.1理论原理PAGEREF_Toc294614958\h1HYPERLINK\l"_Toc294614959"2.2研究现状及学术价值PAGEREF_Toc294614959\h1HYPERLINK\l"_Toc294614960"2.3应用前景PAGEREF_Toc294614960\h2HYPERLINK\l"_Toc294614961"3实验PAGEREF_Toc294614961\h2HYPERLINK\l"_Toc294614962"3.1样品结构及生长制备PAGEREF_Toc294614962\h2HYPERLINK\l"_Toc294614963"3.2PL（光致发光）谱实验结果及分析PAGEREF_Toc294614963\h4HYPERLINK\l"_Toc294614964"4结论PAGEREF_Toc294614964\h8HYPERLINK\l"_Toc294614965"参考文献：PAGEREF_Toc294614965\h8HYPERLINK\l"_Toc294614966"致谢PAGEREF_Toc294614966\h10超宽带InAs/InP基量子点量子线激光器的研究1引言低维半导体材料是目前最活跃的研究领域之一，半导体材料的低维结构包括二维的量子阱(QW)和超晶格(SL)、一维的量子线(QWR)以及零维的量子点(QD)。若是低维半导体材料在一个或多个方向上的尺度与电子的德