PECVD1，等离子体概念、应用与辉光放电2，PECVD的原理，类型3，PECVD在SolarCell的应用4，PECVD的参数控制5，等离子体在Solarcell的其它应用主要内容：1.1等离子态是物质的第四种状态，它是气体，其原子失去电子形成自由电子和正离子，两者的量相等因此又叫做等离子态，它可导电而且受电磁场影响，是非束缚态宏观体系。宇宙中约99%的物质都是处在等离子体状态，闪电、北极光、宇宙射线等等。太阳本身也就是个等离子体的大火球。产生等离子体有多种方式：电击穿、射频放电、微波激发、冲击波、高能粒子流、高温加热等手段。低温/高温等离子体：发光显示、蚀刻、镀膜；磁控核聚变发电、太阳。1.1.1，物质的几种状态1.1.2，电离气体是一种常见的等离子体1.1.3，等离子体参数空间1.1.4，等离子体分类1.2低温等离子体应用冷等离子体应用?等离子体的化学过程：刻蚀，化学气相沉积（成膜）?等离子体材料处理：表面改性，表面冶金?光源：冷光源（节能），显示热等离子体应用?高温加热：冶金、焊接、切割?材料合成、加工、陶瓷烧结、喷涂、三废处理?光源：强光源军事上和高技术上的应用空间和天体等离子体术语“辉光放电”是指发光由等离子体产生，高能态电子返回基态时以可见光辐射的形式释放能量。等离子体能代替高温，裂解分子并发生化学反应，也可用于产生和加速离子。在辉光放电过程中可能出现以下过程：1.3裂解：e*＋AB＝A＋B＋e原子离子化：e*＋A＝A＋＋e＋e分子离子化：e*＋AB＝AB＋＋e＋e原子激发：e*＋A＝A*＋e分子激发：e*＋AB＝AB*＋e上标“*”表示能量远远大于基态的粒子。1.4＋－L直流电源高压电源泵气体入口腔室高压电弧电离产生大量的正离子和自由电子。正离子打在在阴极上，并从阴极材料释放出大量的二次电子。二次电子与中性原子非弹性碰撞产生出更多的离子，维持了等离子体，并伴随光辐射－辉光放电。直流等离子体反应室但是在许多情况下，一个或多个电极上的材料是绝缘的，如硅靶、电极上的硅片。当离子轰击硅片表面时，发射二次电子，使这些层充满电荷。电荷积聚在表面，使电场减少，直到等离子体最终消失。为了解决这个问题，等离子体可以用交流信号来驱动，电源在射频范围内，一般为13.56MHz。1.4射频电源调谐网络＋－射频等离子体示意图在一个简单得电容性放电等离子体中，离子和基团得比例很小，很多年来，这种系统一般运行在13.56MHz下。各种技术被开发用来产生高浓度等离子体：电感耦合等离子体：传统等离子频率上磁控等离子体：传统等离子频率电子回旋共振等离子体：1GHz以上等离子频率－微波通常称为高密度等离子体（HDP）1.4电极＋BIN简单的磁束缚等离子体中，电子被洛伦磁力束缚在阴极暗区，碰撞电离几率大大增强e－e－Bin微波电源波导微波线圈电子回旋ECR等离子系统，需要大功率微波信号，耦合入反应室，能量由波导传递，一般微波频率为2.45GHz。1.42PECVD2.1PECVD在真空压力下，加在电极板上的射频（低频、微波等）电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子，通常结合磁场形成高密度等离子体。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。活化的气体分子吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走。PECVD技术可用于制作器件的钝化膜、增透膜，还可以用于制作光电器件扩散工艺的阻挡层，SolarCell的减反膜。PECVD允许衬底在较低温度(一般300～450℃)下生长介质薄膜。在许多应用中，需要在非常低的衬底温度下淀积薄膜。在铝上淀积SiO2和在GaAs上淀积Si3N4保护层是两个常见的实例。与热反应相比（一般800～1000℃），它有以下优点：能淀积速率高；容易获得比较均匀的组分；通过改变气流比可以使薄膜组分连续变化（如可以容易控制SolarCellARC的Si:N，可以使薄膜组分由氧化物连续变化到氮化物）。2.1PECVD冷壁平行板：产能较低，一定程度均匀性的问题，