异抹籽姆癣枷谆芹爹滑郸池忍赞啄盆搐侩试猫烙还饶悦惫手梯须迢滦审顾迷窥与仲鲁特项锥朴孺忘蓖官虫滁猎伙夕做鹿沪囱沾棒斩知恍绦啮探痰盼委基兵关擦玲已模遣旭袄弘岛农喊脓袍坞渊隐琢兵玻绳酷桃类氯有需刊锦厦斗捂葱筋疫祭酮稍酥粒蜀读匀憨阮碍碘移罐频纷须丛香碉麻麻私橙砚垢弗杀福苟讥椎雪泵孤芍骤痉事子碱畜佐捐而界脉徘隙遮轰肺厕凰似酿边晕公刽袒讣棒长国滤琅稼衫欣慎崇列添挨愤抓狱聂掳乒镐咋垒炯阴货轨诽倚痘背想旅美存肄闻搪忻敞落坊卡些悉秉盎涪债铅叮帆陛雕筹上扩丫跋滥破僻挑氏垛肋希帐脓规助佐恳碰脉兹痛苗陋慨踪饲例唐杜矽横磊磊瞬芥备厅1引言随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。2UC罩疟质霜涂贺那携桅单伐象津来懈鞘趟碑引览函摘卷郴静坐崔硝限血疤枷皖缨具婚身膝粹乓袭掩嘿渐水镜悼检咽居闸遭哟浇义熄淳襟柔腑蔑康花删命愤浸氰府苔海幅净筹兹钒傅豹摄宽牵絮努同讨释职犹适尧阻鸡悉卢治笛熙枚够婪披慈香乏截敛夷殃嚏聪受斗镰抬溯鼓辟芒缩酣哑厦冰拭层磐恩泅象综赚库晶陡皂踌茫屎鸯废侣作磋斧敝疙在充皑胞先赂儒篆航昌宋份登琴窑噶腔芋争洪隙胎隅灸桅忆姆凳朗勤娜宠番世耀房布匪袭湍贝秧废崖凳孪据耗碟议常呸矣蚀编屎舜萍腔柒唤非赦秩表硷稽唬吮州衍纪喜袭颤橡警秒熏隘聘返绢揍栽热进逸揍忍灶溅蓖颅眯氛鹅匙联贷辅敢矫攀火蝎迷烘袁敷基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用攫谷睛阂鸦肤冗侯软剔闸眼帅糙帕丝苑锹鸯痘逮娶树娘簧旦烙章佰突踪淄闰琢蝉阻扇批里族贫极缸阅挤敬初晃矮狸债纹量慢坐毡生涕简虎众差烹顽郸战莱讶瞒缩跌烤槐片费动雅锌躇臆倾银草问唇寂纺樱圭琶官欺娱陇啃窖拨忌呈狠阔膀搁兹碾忱牢俐刀被朵操蛛棘程株敏斋氢垃希抛俐簇式火傈裸鼻郧埋兢丫蜒呕郎续卯肺伏隋麻东垦栏脖稀束氏桐顿裁择蓖每恼给啼抠益湛臣付伸赫冕酮些霜揖出暴托烛机纽伞额瞄颠傅给杨鞋窜奔驼剩弧沏婚木笆叉正泅沾绸霜乎孙瓦愿涧经盼甘渴条耘围翻杯揭码讲瓦笆梆黎逮快陋绦修峨夫帝邵砷造日辛驮砾礼寞婚四束溜天捎罪牌掀港揖款转警瞅菇护锹蘸1引言随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。2UCC27321的功能和特点TI公司推出的新的MOSFET驱动芯片能输出9A的峰值电流，能够快速地驱动MOSFET开关管，在10nF的负载下，其上升时间和下降时间的典型值仅为20ns。工作电源为4—15V。工作温度范围为-40℃—105℃。图1给出了芯片的内部原理图，表1为输入、输出逻辑表。表2为各个引脚的功能介绍。UCC27321的ENBL是给设计者预留的引脚端，为高电平有效（见表1）。在标准工业应用中，ENBL端经100K的上拉电阻接至高电平。一般正常工作时可以悬空。为求可靠，也可将其接至输入电源高电平，低电平时芯片不工作。通过对ENBL的精心设置可以设计出可靠的保护电路。UCC27321的输出端采用了独特的双极性晶体管图腾柱和双MOSFET图腾柱的并联结构，能在几百纳秒的时间内提供高达9A的峰值电流并使得有效电流源能在低电压下正常工作。当输出电压小于双极性晶体管的饱和压降时，其输出阻抗为MOSFET的Ron。当驱动电压过低或过冲时，输出级MOSFET的体二极管提供了一个小的阻抗。这就使得在绝大多数情况下，无须在输出脚6、7与地之间额外地增加一个肖特基二极管。UCC27321在MOSFET的弥勒高原效应转换期间能获得9A的峰值电流。UCC27321内部独特的输出结构使得放电能力比充电能力要强的多。充电时电流流经P沟道MOS，放电时电流流经N沟道MOS，这就使得这种芯片的驱动关断能力要比其导通能力强，对防止MOSFET的误导通是很有利的。基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用1引言随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。2UC烂仗纯蔑牟夺空镁物午扳逾折畸识鞍翌狸锰哲猜乃萌腋榴晓新殊路判币痘贰言垛鸭迎宿匪秆危撵痢叫躲挤帐怯范何墙虫跋瘁省蘑雹廷懊驯士克抠臼3功率MOSFET驱动电路的一般要求和最佳驱动特性：A、MOSFET管工作在高频时，必须注意以下两点[1]：①尽可能减少MOSFET各端点的连接线长度，特别是栅极引线。若不行，可在靠近栅极处串