MOSFET在各領域中的應用MOSFET參數選擇和注意事項第一部分MOSFET原理介紹MOSFET簡介MOSFET的分類MOSFET簡要介紹MOSFET的工作區NMOS和PMOS的區別第二部分MOSFET在實際線路中的應用有源電阻可控開關放大電路應用領域：DSL數據機、數碼相機、路由器、打卡機、PDA、複讀機等(2N60/4N60)3.48W、50W適配器應用領域：20/22寸液晶顯示器、移動DVD、電池充電器、筆記本電源適配器等（6N60/8N60)6.120W、125W適配器5.90W、95W適配器7.200W適配器MOS在LED日光燈電源上的應用(4N60--8N60)第三部分MOS管參數Staticparameters靜態參數Staticparameters靜態參數Staticparameters靜態參數Staticparameters靜態參數Dynamicparameters動態參數Switchingparameters開關時間參數NMOS電量測試EAS:單脈衝雪崩能量第五部分ＭＯＳ各參數選擇之原則及注意事項ＭＯＳ各參數選擇之原則及注意事項3.驅動要求：MOSFEF的驅動要求由其柵極總充電電量（Qg）參數決定。在滿足其他參數要求的情況下，儘量選擇Qg小者以便驅動電路的設計。驅動電壓選擇在保證遠離最大柵源電壓（VGSS）前提下使Ron儘量小的電壓值（一般使用器件規格書中的建議值）。4.損耗及散熱：小的RDS(on)值有利於減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利於散熱。5.損耗功率初算：MOSFET損耗計算主要包含如下7個部分：總損耗PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs導通損耗Pon=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×Don截止損耗Poff=VDS(off)×IDSS×（1-Don）開啟過程損耗Poff_on=1/2×VDS×Ip1×(td(on)+tr)×fs關斷過程損耗Poff_off=1/2×VDS×Ip2×(td(off)+tf)×fs驅動損耗Pgs=Vgs×Qg×fs輸出電容引起的損耗Pds=1/2×VDS2×Coss×fs6.耗散功率約束：器件穩態損耗功率PD,max應以器件最大工作結溫度限制作為考量依據。如能夠預先知道器件工作環境溫度，則可以按如下方法估算出最大的耗散功率：PDmax≤（Tj,max-Tamb）/Rθj-aThankyou!