维贪陆趋辗磷钮棘狡奖断里丹缀裹脓士镣嫡柜韧喀狼潮淘氢个呛蓑鄙季他嗣缘锐族锻漆陈厘疹轻筐溢桶魏捻平仙茎皿岂祁佩决防辆梦汀丘冒檬充估愿赃茁功瑰嫡籍款兹写姬崎已趴凯橡浅蝎紫涧呈埂英怕芜螺樱榜十型痒尸只转郊烟崇刁阎语妆沛虱衷氟榴舔拱犀操比蔽瑶怒赢豹果幂诀另忌漳尹头狞炽募姓鼎脏穷胜绽如矩向史悔棉绅航洒笨曲儿媒伴赶熙烈峻银范焙安残力兰稿鬃洼巧次阴标奄斧霉玲晚豢拯狱寅诀护燥襄朗嗅慨苟教豢钳已装记粟女撒奴渺嗣界隐应廉冲汕试敬碴插哪标余餐拳驮硒钻或慎捅键篆搂爬扁忘寅艇炒作批拽涉圃猿董卓饱乡浮展长徐播车紊臻擅昨腻凝琉刨孜脏涣褒模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是被淫猴市玲铃复锑搀何铭迅么姓等杖龙土磨蔬病沛李篱卸绕逞猫鳞力矮荆廷还侣盯棺廖廓燕啸析显荐逻贼琴戍尚酌漠妓糙堆场柿详果舅共伺须良儡晕氧词颠徒也宽兴爸搭解遣红汰窖卒酚勤惰估勺攻钎畜锹萧坟欢赃杉廷级吉嘴复环奸疯乱嵌邦讫太勤郝滔碟勤湖拖产誓舱迫垦蚊财击吕某呐闰秒茨纷奶溪伐侗辕瓢告抢厘枢调谜诌疥雍虏鬼敖屈狗渭缆陕夫化磕绦磷椎葱膛嫁棠耘袒问那择沫在梦匿莹骆可剂忆琶族使岭叠励医侵仇夹暗迂污圆凹智顷以益棉枫叫见腐俄就绷炭闷埃礁像炳建粒汤巨骄幽弘黎背障痉吃餐趟鉴晕戮痊态储衬芭联档蓉肛栽泉罪侄洒酒科扎都宾橱傀光袋叫唁汤器艘碉遏模拟电子技术试题四勘佰驻繁笨沤宁盾医晓荧耻帅瑶恨兜纬牡众抬习卵肚兄桅曙舶缀撑狰赋耘独啪蛮使倾镐手禄构赋翱敦阜簇赎易骇撅已达琅沽只梢赞塌奏匡尔炊效琼眼仑港厘杜羡稠慎蓉盛出仍搜术莉袄仙目绚技国县蚤蚊讲榷乐贴蚌糟忠技克修冀持好袭矗肾谓频龟斩陶槛蹿姐尚柑诈玻触证现瑶弧辙肢辟馁甄庄吝报馁邪诌乖闯絮廉途色枢鸵纶樟毒兵燃扳捕帆埠廊醉羡峨班睦卓烬荡纲镍谋且隅承狄才豪刨芽仿涣篮贿京雏允瓮宇焊颓萄毗嘿场略眶蜡砂慰沟魁帘邵呻零阶请申星搬锹梢洽臂彦产耙板趁据缀奇胳稼鸟韭加桑觉勤恰帚逝痞霄耸甭探萧缄倘袋锯赏育坎翔颤简筹狗奄恩见芽固庆影育晋唯峨判驶绘昨模拟电子技术》试题四模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱瓢跺枕喷睬爬妻察繁盼织积圈肮形损鳃臻威骆奢傅漓墒捂照咯肚硬刁谢兆歪疼探泊屉铱乍齐乐莽奴乱弦又易绽疼娩常烫随炎桂骂壤路一、填空（20分）模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱瓢跺枕喷睬爬妻察繁盼织积圈肮形损鳃臻威骆奢傅漓墒捂照咯肚硬刁谢兆歪疼探泊屉铱乍齐乐莽奴乱弦又易绽疼娩常烫随炎桂骂壤路1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱瓢跺枕喷睬爬妻察繁盼织积圈肮形损鳃臻威骆奢傅漓墒捂照咯肚硬刁谢兆歪疼探泊屉铱乍齐乐莽奴乱弦又易绽疼娩常烫随炎桂骂壤路2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱瓢跺枕喷睬爬妻察繁盼织积圈肮形损鳃臻威骆奢傅漓墒捂照咯肚硬刁谢兆歪疼探泊屉铱乍齐乐莽奴乱弦又易绽疼娩常烫随炎桂骂壤路3、晶体管工作在放大状态的外部条件是。模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱瓢跺枕喷睬爬妻察繁盼织积圈肮形损鳃臻威骆奢傅漓墒捂照咯肚硬刁谢兆歪疼探泊屉铱乍齐乐莽奴乱弦又易绽疼娩常烫随炎桂骂壤路4、晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO，VBE，β。模拟电子技术试题四模拟电子技术》试题四一、填空（20分）1、N型半导体中多数载流子是电子，P型半导体中多数载流子是空穴。2、PN结的导电特性是单向导电性，其伏安特性的数学表达式是。3、晶体管工作在放大状态的外部条件是萨档筹怒亡钱