4场效应管放大电路场效应管是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。将控制电压转换为漏电流——互导放大器件。特点：体积小，重量轻，耗电省，寿命长。具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单等优点。分类：结型场效应管（JFET）金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）4.1结型场效应管二、工作原理(1)VGS对iD的影响(2)VDS对iD的影响P沟道JFET的工作原理4.1.2JFET的特性曲线及参数2．转移特性P沟道JFET的特性曲线P沟道JFET的特性曲线3．主要参数4.2砷化镓金属—半导体场效应管4.3金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）N沟道增强型MOSFET的特性曲线五、各种场效应管的比较六、场效应管使用注意事项作业P190：4.1.2；4.1.3；4.3.1。4.4场效应管放大电路4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析自偏压电路分压式自偏压电路2．静态工作点的确定4.4.2小信号模型分析法2．放大电路Vi=Vgs+gmVgsRs=Vgs(1+gmRs)Vo=-gmVgsR’LAv=Vo/Vi=-gmR’L/(1+gmRs)Ri=Rg;Ro=Rd——反向电压放大Vi=Vgs+gmVgsR’L=Vgs(1+gmR’L)Vo=gmVgsR’LAv=Vo/Vi=gmR’L/(1+gmR’L)<1Ri=Rg;Ro=Rs//(1/gm)——电压跟随器Vi=-VgsVo=-gmVgsR’LAv=Vo/Vi=gmR’LRi=Rs//(1/gm);Ro=Rd——电流跟随器4.5各种放大器件电路性能比较作业P191:4.4.4;4.4.6;4.5.4。