会计学2.1概述(Ɡàishù)如何(rúhé)获得高、低电平呢？2.2半导体二极管门电路图二极管伏安特性(tèxìng)的几种近似方法图二极管的动态电流(diànliú)波形A二极管构成(gòuchéng)的门电路的缺点2.3CMOS门电路二、MOS场效应管介绍(jièshào)MOS管的结构(jiégòu)图沟道(ɡōudào)MOS管共源接法及其输出特性曲线(a)共源接法(b)输出特性曲线图2.3.3NMOS管的转移(zhuǎnyí)特性三、MOS管的基本(jīběn)开关电路四、等效电路图P沟道(ɡōudào)增强型MOS管图2.3.8用P沟道(ɡōudào)增强型MOS管接成的开关电路五、MOSFET的开关(kāiguān)作用反相器电路结构(jiégòu)与工作原理“0”(0V)“0”(0V)二、电压、电流(diànliú)传输特性图CMOS反相器的电流传输(chuánshū)特性三、输入(shūrù)端噪声容限图不同(bùtónꞬ)VDD下CMOS反相器的噪声容限图CMOS反相器输入(shūrù)端噪声容限与VDD的关系★为了正确(zhèngquè)地处理门电路与门电路，以及门电路与其它电路之间的连接问题，必须了解门电路输入端和输出端的伏安特性，即输入特性和输出特性。一、输入(shūrù)特性二、输出特性2、高电平输出特性其他(qítā)类型的CMOS门电路3)带缓冲(huǎnchōng)级的CMOS门电路二、漏极开路(kāilù)的门电路（OD门）OD门的作用(zuòyòng):图OD门的线与接法OD门外接负载电阻RL的计算(jìsuàn)为保证(bǎozhèng)输出高电平不低于规定的VOH值，RL不宜选得过大。由以上分析列出RL最大值的公式：“0”在最坏情况下，只有一个OD门导通，流过RL的电流和负载电流全部灌入该导通的OD门中，所以RL的值不可太小，以确保灌入导通OD门的电流不超过(chāoguò)最大允许的负载电流IOL(max)。由以上分析可列出RL最小值的公式：三.CMOS传输(chuánshū)门(二)工作(gōngzuò)原理：(三)CMOS传输(chuánshū)门的作用：四、三态输出(shūchū)门（ThreeStateOutputGate,TS）三态门的用途(yòngtú)课堂练习数字集成电路(jíchéng-diànlù)的各种系列2.4TTL门电路半导体三极管的开关(kāiguān)特性二、三极管的输入(shūrù)特性和输出特性三极管的输出特性(NPN)特性(tèxìng)曲线分三个部分只要参数合理设置:VI=VIL时，三极管截止(jiézhǐ)，VO=VOHVI=VIH时，三极管饱和导通，VO=VOL四、三极管的开关(kāiguān)等效电路五、动态(dòngtài)开关特性六、三极管反相器反相器的电路结构(jiégòu)和工作原理2、当输入(shūrù)A为高电平VIH=3.4V时：二、电压(diànyā)传输特性三、输入(shūrù)噪声容限一、输入(shūrù)特性二、输出特性—高电平输出特性二、输出特性—低电平输出特性应用(yìngyòng)举例：例1三、输入端负载(fùzài)特性Rp课堂练习例在图电路中，为保证G1门输出的高、低电平能正常(zhèngcháng)的传送到G2门的输入端，要求vO1=VOH时vI2≥VIH(min)，vO1=VOL时vI2≤VIL(max)，试计算RP的最大允许值。已知G1和G2均为74系列的反相器，VCC=5V,VOH=3.4V,VOL=0.2V,VIH(min)=2.0V,VIL(max)=0.8V。2）计算(jìsuàn)vO1=VOL，vI2≤VIL(max)时RP的允许值：其他(qítā)类型的TTL门电路2.或非门4.异或门二、集电极开路(kāilù)的门电路(OC门)2、OC门的结构(jiégòu)特点OC门实现(shíxiàn)的线与3、外接负载电阻RL的计算(jìsuàn)对于(duìyú)TTL与非门，m′是负载门的个数例试为图电路中的外接负载电阻RL选定合适的阻值。已知G1、G2为OC门，输出管截止时的漏电流为IOH=200A,输出管导通时允许(yǔnxǔ)的最大负载电流IOL(max)=16mA。G3、G4和G5均为74系列与非门，它们的低电平输入电流IIL=-1mA，高电平输入电流IIH=40A。给定VCC=5V，要求OC门输出的高电平VOH≥3.0V,低电平VOL≤0.4V。三、三态输出(shūchū)门(TS门)三态门的用途(yòngtú)课堂练习数字集成电路的各种(ꞬèzhǒnꞬ)系列本章(běnzhānꞬ)小结：三、数字(shùzì)集成电路的分类作业：感谢您的观看(guānkàn)！内