实验2双端口存储器原理实验.doc
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三、接线固定接线RS_BUS#接+5V,禁止寄存器堆RF向DBUS送数。IAR_BUS#接+5V,禁止中断地址寄存器IAR向DBUS送数。ALU_BUS接GND,禁止运算器ALU向DBUS输出数据。AR1_INC接GND,禁止地址寄存器进行AR1+1→AR1操作。M3接+5V,使地址寄存器AR2从DBUS取得地址数据。其他控制信号线SW_BUS#接K0;CEL接K1;LRW接K2;CER、LDIR接K3;LDAR1接K4;LDAR2接K5。四、设置功能开关先置开关DB=0,DZ=0,DP=1,使系统处于单拍状态(每按一次QD按钮,顺序产生T1、T2、T3、T4各一个脉冲)先将IR/DBUS开关拨到DBUS位置;先将AR1/AR2开关拨到AR1位置;五.实验操作演示使用左端口,向某一存储单元写入数据。(以向地址06H单元写入数据80H为例)将地址06H写入AR1置SW_BUS#(K0)=0;CEL#(K1)=1。按下实验台上电源开关,接通电源。按下复位按钮CLR#(使实验系统处于初始状态)。置开关SW7~SW0为00000110B,此数据加至DBUS(数据指示灯显示00000110B)。置LDAR1=1(k4);LDAR2(K5)=0。按QD按钮(产生T4),则将DBUS的数据打入AR1,加至左端口的地址线上。此时左端口地址指示灯显示00000110B。将数据80H写入先后置LRW(K2)=0(写操作);CEL#(K1)=0;(片选有效)LDAR1(K4)=0;SW_BUS#(K0)=0;置开关SW7~SW0为10000000B(80H),按QD按钮(产生T3),则将DBUS的数据(10000000B)写入06H单元。使用左端口,从某一存储单元读数据。(以读地址06H单元为例)将地址06H写入AR1(步骤同上)读数据先后置sw_bus#(K0)=1;(使sw7~sw0与dbus断开)Lrw(K2)=1(读操作);Cel#(K1)=0;(片选有效);Ldar1(K4)=0;按qd按钮(产生T3),读出的数据送至dbus,dbus的数据指示灯显示10000000B。使用右端口,从某一存储单元读数据写入IR(以读地址06H单元为例)将地址06H写入AR2先后置CEL#(K1)=1;SW_BUS#(K0)=0;LDAR2(K5)=1。置开关SW7~SW0为00000110B,按QD按钮(产生T2),将DBUS的数据打入AR2。此时右端口的地址指示灯显示00000110B(AR1/AR2开关拨到AR2位置)。从右端读数据置CER(K3)=1;(右端口读信号)及LDIR(K3)=1。(写ir)按QD按钮(产生T4)。从右端口读出数据并写入指令寄存器IR,IR数据指示灯上显示10000000B。(IR/DBUS开关拨到IR位置)双端口RAMde并行读写冲突测试置CEL#=0且CER=1,使双端口RAM左、右端口同时被选中。当AR1和AR2的地址不相同时,没有访问冲突;地址相同时,若都是读出操作,也不冲突。如果左右端口地址相同,且一个进行读操作、另一个进行写操作,则发生冲突。要检测冲突,可用示波器或逻辑笔测试BUSYL和BUSYR插孔(分别是两个端口的“忙”信号输出)。发生冲突时,BUSY为0。六、实验注意事项数据总线dbus在任一时刻,只能有一个数据源向它输出。本实验中手动控制信号sw_bus#、cel#严禁同时为0,否则将损坏集成电路芯片!!使用左端口,向某一存储单元写入数据。当将地址写入ar1后,应置ldar1(K4)=0,避免写数据时,数据同时进入ar1,改变ar1的内容。七、实验心得体会要掌握实验原理,不能只是照着资料上的步骤连接。要正确理解实验步骤,在实验箱上正确操作。应该大胆的实验,相信自己。