PLD法制备BST铁电薄膜及其性质的研究的开题报告题目：PLD法制备BST铁电薄膜及其性质的研究摘要：针对高频电子元器件中铁电材料的需求，本文将研究使用脉冲激光沉积（PLD）技术制备铁电材料BariumStrontiumTitanate（BST）薄膜，并对其电学及结构性质进行研究。具体而言，我们将探究PLD在制备BST铁电薄膜过程中的优点和缺陷，并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的铁电性能和微观结构。该研究将为高频微波电子器件的发展提供重要的材料基础研究。关键词：PLD，BST铁电薄膜，电学性质，结构性质一、研究背景随着通信技术的快速发展，高频微波电子器件的需求也越来越大。然而，传统的硅基电子元器件在高频微波场下存在一定的限制，因此需要寻求新的材料作为高频微波电子器件的基础材料。铁电材料是一类具有高电介质常数和良好微波介电性能的材料，因此被广泛用于高频微波电子器件中。BariumStrontiumTitanate（BST）是一种重要的铁电材料，其具有良好的铁电性能、微波介电性能和电光性能，已经被广泛应用于射频微波器件、超声探伤器、压电声学器件等领域。然而，目前BST铁电材料的制备还存在一定的问题，传统的物理气相沉积（PVD）制备方式存在材料热解不完全、沉积速度缓慢等问题，影响了材料的质量和性能。针对这一问题，脉冲激光沉积（PLD）被提出，并被广泛应用于铁电材料的制备。二、研究目的和意义针对高频微波电子器件中铁电材料的需求，本文将研究使用PLD技术制备铁电材料BariumStrontiumTitanate（BST）薄膜，并对其电学及结构性质进行研究。具体而言，我们将探究PLD在制备BST铁电薄膜过程中的优点和缺陷，并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的铁电性能和微观结构。该研究的意义在于，对于高频微波电子器件的发展，提供了重要的材料基础研究。同时，该研究对于促进PLD技术在铁电材料制备中的应用，也具有一定的参考价值。三、研究内容（1）PLD技术制备BST铁电薄膜的研究通过对PLD技术的了解，研究如何使用PLD技术制备BST铁电薄膜。主要包括材料的准备、沉积过程中各项参数的设置、薄膜生长的过程等。（2）不同掺杂比例BST铁电薄膜的电学性质研究利用扫描电镜、X射线衍射仪、电学性能测试系统等方法，对不同掺杂比例的BST铁电薄膜的电学性能进行分析研究，包括比电容、介电常数、铁电畴的极化特性等。（3）不同掺杂比例BST铁电薄膜的结构性质研究使用扫描电镜、X射线衍射仪等技术，分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的微观结构，包括晶体结构、晶粒尺寸等。四、研究方法（1）材料准备准备所需的BST材料，并使用化学方法制备目标组分的BST陶瓷粉体，然后将其压制成片状样品。（2）PLD制备BST铁电薄膜将BST陶瓷片放置在真空室中，并通过PLD技术沉积薄膜，控制沉积速率、气氛、温度和气压等参数，获得具有不同掺杂比例的BST铁电薄膜。（3）电学性质测试使用电学性能测试系统对不同掺杂比例的BST铁电薄膜的比电容、介电常数、铁电畴的极化特性等进行测试。（4）结构性质测试采用扫描电镜、X射线衍射仪等技术，分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的晶体结构、晶粒尺寸等微观结构。五、预期成果预计探索出PLD技术制备BST铁电薄膜的最优参数，并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的电学及结构性质。希望可以为高频微波电子器件的发展提供重要的材料基础研究。参考文献：[1]LiuHuanjun,FengZhenyu,WangJianguo,etal.DesignofBaSrTiO3thin-filmstructureformicrowavetunabledevices[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2018,29(19):16603-16609.[2]LiMing,LiuHao,XuHui,etal.GrowthandpropertiesofSm-dopedBa0.6Sr0.4TiO3thinfilmsonSisubstratesbypulsedlaserdeposition[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2016,27(6):5951-5956.[3]LiuHuanjun,FengZhenyu,WangJianguo,etal.EffectsofdepositionpressureonthepropertiesofBa0.6Sr0.4TiO3filmsgrownbyradiofrequencymagnetronsputtering[J].JournalofMaterialsSci