Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性的任务书任务书一、任务背景Ⅲ-Ⅴ族MOSFET是一种新型的场效应管，它以其较高的移动性和较低的电阻率逐渐成为集成电路和功率电子行业的热门研究方向。而该器件的电容电压和肖特基接触特性也是其重要参数之一。因此，本文的研究目的就是探究Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性，以期提高该器件的性能优势和应用价值。二、任务目的本文旨在从以下两个方面分析Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性：1.分析Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压的影响因素通过阐述Ⅲ-Ⅴ族MOSFET中所涉及的电容，探究其电容电压的影响因素。其中，主要包括器件结构参数、通道材料、衬底材料等等因素。2.分析Ⅲ-Ⅴ族MOSFET肖特基接触的特性本部分主要针对Ⅲ-Ⅴ族MOSFET中所涉及的肖特基接触特性进行分析。主要涉及肖特基势垒高度、I-V特性等方面的内容。三、任务内容1.分析Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压的影响因素（1）器件结构参数对电容电压的影响-探究开关电容和通道电容两种电容与器件壳体类型的关系，发掘器件所具有的结构参数与电容电压反应之间的联系。（2）通道材料对电容电压的影响-分析材料所具有的基本特性，结合高电场下的等效载流子浓度，探究其在电容电压方面的表现。（3）衬底材料对电容电压的影响-掌握衬底材料在倒装层介质常数方面的特性，分析在不同材料下，电容电压数值产生的差异。2.分析Ⅲ-Ⅴ族MOSFET肖特基接触的特性（1）肖特基势垒高度对器件性能的影响-通过分析不同肖特基势垒高度所对应的I-V曲线，探究其与器件性能之间的关系。（2）I-V特性对器件性能的影响-在分析器件中I-V特性时，需重点分析其结状图和初始状态的影响，并探究外界电场与I-V特性间的关系。四、参考文献1.Huang,Y.;Cheng,Y.;Jian,C.;Luu,N.-S.;Uttamchandani,D.SimulationStudiesof4H-SiC-Basedp-TypeMOSFETswithDifferentGateInsulators.Micromachines2019,10,704.2.Zang,X.;Liu,H.;Liu,Q.;Zhao,X.;Jiang,Y.;He,Q.;Li,W.;He,Y.;He,J.EffectsofAl2O3DielectricLayeronCharacteristicsofIn2O3NanowireMOSFETs.Nanomaterials2020,10,681.3.Bae,Y.J.;Bae,B.S.;Lee,K.S.EffectsofDifferentSubstratesonPerformanceofHighVoltageAlGaN/GaNMOS-HFET.Sensors2021,21,486.五、任务总结本文主要针对Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性进行了深入分析。涉及的内容主要包括器件结构参数、通道材料、衬底材料等影响电容电压的因素，以及肖特基势垒高度、I-V特性等影响肖特基接触特性的因素。该研究为进一步提高Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的性能创造了有利条件，对其应用于集成电路和功率电子领域具有重要的现实意义。