第三章存储器接口第三章存储器接口存储器的逻辑结构示意图存储器的构成原理第三章存储器接口第一节半导体存储器的分类随机存取存储器RAM（RandomAccessMemory）静态存储器SRAM（StaticRAM）动态存储器DRAM（DynamicRAM）非易失性静态随机存储器NVRAM(non-volatileRAM)第一节半导体存储器的分类只读存储器ROM（ReadOnlyMemory）只读存储器ROM（ReadOnlyMemory）第二节存储器的主要性能指标存储容量存取速度存取速度价格第三节几种典型的存储芯片EPROM:2716芯片（2k*8）P1232716的工作方式EPROM::2764芯片（8k*8）OEPGMCEA12A8A7A027系列EPROM芯片：2716（2K*8),2732（4K*8),2764（8K*8),27C128(16K*8),27C256（32K*8),27C512，27C010(1M)27C020(2M),27C40(4M)A0—A12CEOEEPROM的扩充：◇字节的扩充：字节容量不够时2.随机存储器RAM（RandomAccessMemomy)以Intel6116为例，描述SRAM的工作过程。读出：CS=0，OE=0，WE=1，数据送到D7~D0后输出到CPU。写入时，CS=WE=0，OE=1，数据D7~D0写入存储单元中。CS=1，输入/输出三态门高阻，存储芯片与系统总线被隔离。常用的SRAM芯片：利用6116扩充为32位SRAM3.动态RAM(DynamicRAM)DRAM读数据的工作过程DRAM写数据的工作过程DRAM芯片2164A的容量为64K×1位，8片2164A构成64KB的存储器。常用的DRAM第四节存储器接口技术计算芯片数位扩展法--当存储芯片所能提供的数据位数不能满足存储器的字长要求时，采用位扩展法进行扩展。字扩展法--用存储容量较小的芯片组成容量较大的存储器时，需采用字扩展法进行扩展。即采用多片串联的方法，扩大容量。方法：①各芯片的数据线分别接到数据总线的各位上；②各芯片的地址线并接在一起，连到相应的地址总线各位；③各芯片的控制线并接在一起，连到相应的控制线上。方法：①将各存储芯片片内地址线（图示为：A12-A0）、数据线、读/写控制线并联，接到相应的总线上；②将地址线的高位（图示为：A20-A13）送地址译码器产生片选信号，接各存储芯片的CS端，以选择芯片。例：使用6264（8k*8）芯片和8位CPU组成一个24k×8系统。地址表：A15A14A13A12～A0CPUD7～D0RDWR1.存储器片选信号及存储器芯片地址范围的确定例：EPROM芯片2764（8K*8），实模式下设片选信号的产生电路如下：若片选信号产生电路如下全译码方式：即高位地址全部参与译码。部分译码方式：即高位地址部分参与译码。线选译码方式：只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片（组）例:以SRAM芯片6116（2k*8）为例，设实模式下的片选信号产生电路如下：部分译码方式：即存储芯片占据多个地址范围，其中任意一个地址区域用户均可使用，但剩余的地址空间只能空着不用。优点：电路相对简单缺点：浪费地址空间。采用译码器产生片选信号某CPU与存储器的连接框图如下，回答下列问题：1、每个存储芯片的容量有多大？2、存储器的总容量有多大？3、那几个芯片分为一组？并写出每组芯片的地址范围