模拟电路复习资料第0章导言一、模拟信号，数字信号二、信号系统第一章常用半导体器件一、半导体物质（一）本征半导体----本征激发（二）杂质半导体（N型—少数载流子；P—多数载流子）二、半导体器件（一）N二极管特征：单向导电作用：限幅，电平选择，整流分析方法：首先假设所有二极管均截止，分别计算二极管的电压，最大的优先导通（二）BJT1)结构特点：1.发射结掺杂浓度高2.基结掺杂浓度低3.集电极电压面积很大（放大的内部条件）~~~放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏2)BJT的工作状态的判定：（1）电压法1.Je,Jc正——负2.Je,Jc反——截止3.Je正,Jc反——放大4.Je反,Jc正——反放（倒置）（2）电流法：1.βIb〈Icbo截止2.βIb〉Icbo放大3.βIb〉Ic饱和3)材料类型判定（Si,Ge?PNP，NPN？）找出两两之差，差值在0.7V或者-0.2V附近的电极为be，另一个为c。0.7V——硅管c+b+e--0.2V——锗管c-b-e+4)主要参数βIcmUbeUceo5）本质是一个电流控制电流源（三）FET（场效应管）分类：1.结型（JFET）———N型、P型2.绝缘栅型（MOSFET）———耗尽型（N型、P型）、增强型（N型、P型）本质：电流控制型器件熟悉其转移特性Ib=f(Uds)|Vds一定输出特性Ib=f(Uds)|Vgs一定微变等效模型第二章基本放大电路《一》分析：一、内容：静态（IboIcqUceoUgsUdsId）动态(RiRoAv)二、方法：静态——图解法（已知输入，输出特性曲线），估算法动态——图解法，微变等效电流法☆☆非线性失真,与Q点有关（本质：产生新的频率分量）Q点过高，出现饱和失真（Ibq太大）Q点过低，截止失真（Ibq太小）线性失真,不同频率信号通过系统，它们的放大倍数不同引起的（不产生新的频率分量）放大电路直流交流微变模型C开路，交流源不作用交流电压短路，交流电流开路，C短路，直流源不作用直流电压短路，直流电流开路，3.放大器件用微变模型代替（根据定义求RiRoAv）Ri=Ui/IiRo=Ut/it|Us=0,Rc=+∞Av=Uo/Up《二》判断一个电路是否具备放大作用：Q点是否合适是否具备完整的输入或输出回路输入的交流信号能否叠加在Q点上注：检查直流能否通路，检查交流是否短路《三》静态工作点稳定电路的工作原理《四》三种阻态基本放大电路特点共e(s)共b(g)共C(d)Ri较高较低很高Ro较高较大很低Av大（β）较大《=1Ai大较小《=1（α）较大βfbw窄宽（高频）中第三章多级放大电路一、耦合方式及特点（一）阻容耦合：Q点互相不影响，易调节，不适合低频和直流信号的放大（二）直接耦合：Q点互相影响，调节比较困难。能放大低频及直流信号。（不过存在零点漂移——差分放大电路克服）（三）变压器耦合、光电耦合：能实现隔离的效果二、多级耦合放大电路的分析方法Ri=Ri1Ro=Ro末Av=Av1*Av2*…Av末（有负载）后级的输入阻抗是前级的输出阻抗20Lg|Av|分贝（dB）三、差分（差动）电路（一）结构特点：对称性（二）功能特点：能放大差模信号，抑制共模信号（三）结论:1.单端输入和双端输入是等效的Ri=2(Rb+rbe)2.单端输出空载时放大倍数是双端输出的1/23.单端输出Ro=Rc,双端输出Ro=2Rc(四)长尾式电路中的Re1.形成静态偏置2.对共模而言抑制（即为共模负反馈电路），对差模信号相当于短路差动输入级双差动输入级中间级（共射）输出级（推抗、准互补个、推抗、射极跟随器）偏置电路（横流源）抑制“零漂”提高输出阻抗Ri代替大电阻提高足够大的放大倍数使输入Ro下降，提高负载能力第四章集成运算放大电路一、集成工艺的特点：（一）大电阻、大电容均不机集成。采用多接方式（二）用三极管代替二极管———————————》（三）用恒流源代替大电阻作用负载（或偏置）二、集成运放的组成及各部分的作用三、集成运算电路本质：是一种直接耦合，高性能的多级放大器。理想运算模型Ri很大∞Ro很小0Av很大∞Fbw很高∞四、应用注意事项：保护输入级输出级级间保护（电源保护）第五章放大电路的频率响应一、阻容耦合放大器的频率响应二、耦合放大器的频率响应第六章放大电路中的反馈一、分类正、负反馈串联、并联反馈电压、电流反馈直流、交流、交直流反馈本级、级间反馈二、判断方法：瞬时极性法Xi、Xf：按同输