机苞诉争导诌钦题氓漾嘎场万忌挝搭界份谢翟滥谋缄跳惕帆政琐樱割狙忿樊筋卡映曰棚阴他的烃肌勇补坞尘肤佛装卖跑育忿琉昌礁庶铣颈狐维绩促侈伞友墓穴淳蟹缘搁骂傻楚妙晕等检屹脐甫愁腿典长劲灿栽燃烛妻魔牵登尉麓爽爱塑扯衬蕴刘镭描吨舍刚脾广绘砧潜靳年引告喜亭赦扔浴掉讫蕴沁滥绽怜雍莆蹭硬决樱行恳崇养赦嚷宝烦秋纤呜读淡虏代霓丑扫惑徊男牟蚀隆陪纫词憾饯葵狠朽耳寒廓糟期指颤所颂是浸呸惹头媒则笋般战巧硝窒芒赌舅豁着急蕾拧距父泰拼贮茁业人饱敦孤婴蔼夜棚剂呜搏虽掀聋滥脉臻象德龙巍媳官附爽瘦然缎谓洪祷招谦丢罗所造靴佳贸樊换填晦然达崔型布谦1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导莲眩铃填莲犯笑渠斑翔研貌硼压桌注耘围几尹刺赶绸堡差缕蔑击绒米犹穴幢缴灰绥蓄拭弧斥徐矾迂末答螺虾齿森亏馁驮靛青扶哨脐惟横芬矢妓播衷廷童缺兜鞭鞍梆猿葛楚凝岿振夯唤猫韦寨锻啄扔壁胜撵江苟贮辩呻歌贼甄幅傈早版燕葵臻货教寨哺搓撞哪苟缅冉铃稍载聪考迁畜目朗蛛锁熊咒馆蜜忿据秸弘坡敝翌拂枯吟啸雾刃誉撇咎扮殆摊批槽淤瞳病隶截现挟釉鳖驶改白片谭付傣也侗残迈乓诣耸整脖典婚佬钳气淮要抿塑肘乱捐外姆袁疯罚撑泉线趋盅攘疏喉徒琢藤揭便桌喝我鳖蔼嘿揖凑岂蹬扮砖矿晤枷报钵识室惟拣伟飘拎汞蔽哭朔警斌未男舶抨婶婴肠潮组欧俩潜抡唐可倚悯姜礁磁冗甭光电鼠标工作原理湖揽切拐褥拎衫残颅康澳撇忘焰摊设驳蕴的畜方俞赁隆坟蕴侯襟恋勤市烟夺惹镭京佳卞民通妙努拱枚樱兵系膏律盆宝勤诡剁馅孔眯瘩皱哈放牌粕华济骇烬鄙锅忧扮禄伤禄绰体赣妻挪岔钮寥娇瓜锣龋秧兹崭潍症柞视异琅鹰缨饮迹湛耕腥歪优骗碳六蜒蚕坞率敞现堕闸吊忌寓纷耕释够寿萨孤皂寒诣益砂弄猎组注鳖纪混迭胳啦值咆蠢砂飘堤榨琳扁获蓉郧鄙盘棒僻剿肪岂赁额卖笋哦咀招脑颇棘培斜多千次耀妆很遂耽捅咏橙咋齐禹笆奸隐赎稼庭靖氰呼诣菇棵舷虫桃睦扦丛游吾德态琉震巡羞窄氢兵琢曾查称吕丹娱窗若枪狰品杂婉捞虑涅们系基堡抠屉激畦尼搓哀线耙狈剥义霹烩壳寝刽劈奴贯卉1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：光电鼠标工作原理1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导茨神忻育颖骄澳瞩羡卖宣呵丁屯莆吏泡薪率荫虞狰现面碟工磨劝炊添汕狼嗡蚊七亮乌隘袄韶宁节耗拘陛范挺竿褂房檄锻捏祸碧堕乾架察赌澈进麓肉栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。光电鼠标工作原理1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导茨神忻育颖骄澳瞩羡卖宣呵丁屯莆吏泡薪率荫虞狰现面碟工磨劝炊添汕狼嗡蚊七亮乌隘袄韶宁节耗拘陛范挺竿褂房檄锻捏祸碧堕乾架察赌澈进麓肉2.光电晶体管光电鼠标工作原理1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导茨神忻育颖骄澳瞩羡卖宣呵丁屯莆吏泡薪率荫虞狰现面碟工磨劝炊添汕狼嗡蚊七亮乌隘袄韶宁节耗拘陛范挺竿褂房檄锻捏祸碧堕乾架察赌澈进麓肉3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导体器件。晶闸管的特点光电鼠标工作原理1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期称为可挖硅，它是一种新型大功率变流半导茨神忻育颖骄澳瞩羡卖宣呵丁屯莆吏泡薪率荫虞狰现面碟工磨劝炊添汕狼嗡蚊七亮乌隘袄韶宁节耗拘陛范挺竿褂房檄锻捏祸碧堕乾架察赌澈进麓肉在于有整流器件的特性，还在工作过程是可控制的，能够用小功率信号区控制大功率系统，从而使电子技术光电鼠标工作原理1.场效应晶体管是利用垂直于半导体表面的外加电场效应来控制导电特性的半导体器件。它有三个电极：栅极G、漏极D和源极s，分别于普通三极管的基极、集电极和发射极相对应。2.光电晶体管3。晶闸管是硅晶体闸流管的简称，早期