S3C2410/S3C2440对nandflash的读写操作2008-09-0311:42折腾了两三天终于搞定了s3c2440对nandflash的读写操作，s3c2410对nandflash的读写操作资料比较多而s3c2440的资料比较少，两款芯片在nandflash寄存器上有较大的变化，不能通用，需对照datasheet修改。下面讲一下实验过程：试验目的：使nandflash开始4k代码完成将4k以后代码copy到sdram内运行的功能。试验内容：采用朗成AT2440EVB-I型开发板，nandflash启动跳线1，3，4在on位置，将head.s和init.c（主要完成初始化，nandflash读写，从nandflash到sdram的代码copy）写入nandflash起始地址（启动地址0x0000），将main.c（完成点亮LED的功能）存放到nandflash的4096地址，但使其在0x30000000(就是sdram的首地址)运行，这就需要nandflash启动后4k的代码将4096起始的代码copy到0x30000000运行。过程：本来是有源代码的，但那是用在s3c2410上的，将其直接用到AT2440EVB-I型开发板上，失败。将2410和2440datasheet对照一看才知道寄存器有了很大变化，直接用是肯定不行的。查资料才知道2440的nandflash操作资料很少（好像2440的资料都很少，2410比较多），最后查到两个，一个是u-boot在2440上的移植，其中有从nandflash启动的读写函数（copy自vivi），另一个就是AT2440EVB-I型开发板自带的ATBOOT中nand_read.c，对照看了一下差不多，根据这两个资料改写init.c之后还是失败。只好又找资料将“nandflash读写操作”的原理搞清楚了（之前一直没搞清楚代码，只是拿过来用）。再看2410上的代码，发现2440上的少了nandflash的初始化函数，对照datasheet改写寄存器后，led终于亮了。^_^s3c2410对nandflash读写操作寄存器配置的流程：1.初始化NFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);或NFCONF=0xf830;（1）enableNANDflashcontroller（15位）（2）initializeECC（12位）（3）chipdisable（11位），使用时再chipenable（4)设置TACLS=0、TWRPH0=3、TWRPH1=0//2440采用默认值即可2.复位(1)NFCONF&=~0x800;//chipenable(2)NFCMD=0xff;//resetcommand(3)while(!(NFSTAT&BUSY))等待NANDflashmemoryreadytooperate3.读写函数（1）NFCONF&=~0x800;/*chipEnable*/（2）NFCMD=0;//read0（3）NFADDR=i&0xff;NFADDR=(i>>9)&0xff;NFADDR=(i>>17)&0xff;NFADDR=(i>>25)&0xff;/*WriteAddress*/（4）while(!(NFSTAT&BUSY))等待NANDflashmemoryreadytooperate（5）*buf=(NFDATA&0xff);//读数据线（6）NFCONF|=0x800;/*chipdisable*/s3c2440对nandflash读写操作寄存器配置的流程：1.初始化（1）NFCONT=(1<<0)//enableNANDflashcontroller（2）NFCONT|=(1<<1)/*chipdisable*/2.复位（1）NFCONT&=~(1<<1)/*chipenable*/（2）NFCMD=0xff;//resetcommand（3）while(!(NFSTAT&BUSY))等待NANDflashmemoryreadytooperate3.读函数（1）NFCONT&=~(1<<1)/*chipenable*/（2）NFSTAT|=(1<<2)//NAND_CLEAR_RB，RnBtransitionisdetected（3）NFCMD=0;//READ0，读上半叶（4）/*WriteAddress*/NFADDR=i&0xff;NFADDR=(i>>9)&0xff;NFADDR=(i>>17)&0xff;NFADDR=(i>>25)&0xff;（5）wh