会计学杂质能级(néngjí)位于禁带之中杂质(zázhì)和缺陷§2.1硅、锗晶体中的杂质(zázhì)能级§2.1.1替位式杂质(zázhì)间隙式杂质(zázhì)§2.1.1替位式杂质(zázhì)间隙式杂质(zázhì)§2.1.1替位式杂质(zázhì)间隙式杂质(zázhì)§2.1.2施主(shīzhǔ)杂质施主(shīzhǔ)能级§2.1.2施主(shīzhǔ)杂质施主(shīzhǔ)能级在Si单晶中，V族施主替位杂质(zázhì)两种荷电状态的价键图§2.1.2施主(shīzhǔ)杂质施主(shīzhǔ)能级施主(shīzhǔ)电离能：△ED=EC-ED§2.1.2施主杂质(zázhì)施主能级Si、Ge中Ⅴ族杂质(zázhì)的电离能△ED（eV）晶杂质体PAsSbSi0.0440.0490.039Ge0.01260.01270.0096§2.1.3受主杂质(zázhì)受主能级§2.1.3受主杂质(zázhì)受主能级§2.1.3受主杂质(zázhì)受主能级受主电离能：△EA=EA-EV§2.1.3受主杂质(zázhì)受主能级Si、Ge中Ⅲ族杂质(zázhì)的电离能△EA（eV）晶杂质体BAlGaInSi0.0450.0570.0650.16Ge0.010.010.0110.011§2.1.4浅能级杂质(zázhì)电离能的简单计算氢原子基态(jītài)电子的电离能§2.1.4浅能级杂质(zázhì)电离能的简单计算§2.1.5杂质的补偿(bǔcháng)作用1，ND>NA时：n型半导体因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主(shīzhǔ)与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。有效的施主(shīzhǔ)浓度ND*=ND-NA2，NA>ND时：p型半导体因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离(diànlí)到价带上。有效的受主浓度NA*=NA-ND3，NA≌ND时：杂质(zázhì)的高度补偿§2.1.6深能级(néngjí)杂质（1）浅能级(néngjí)杂质例如(lìrú)：在Ge中掺AuAu的电子组态为：5s25p65d106s11，Au失去一个(yīɡè)电子－－－施主Au0–e＝Au+2，Au获得(huòdé)一个电子－－－受主Au0＋e＝Au-3，Au获得(huòdé)第二个电子Au-＋e＝Au--4，Au获得(huòdé)第三个电子Au--＋e＝Au---§2.1.6深能级(néngjí)杂质§2.2化合物半导体中的杂质(zázhì)能级§2.2.1杂质在砷化镓中的存在(cúnzài)形式§2.2.1杂质在砷化镓中的存在(cúnzài)形式§2.2.1杂质(zázhì)在砷化镓中的存在形式§2.2.1杂质(zázhì)在砷化镓中的存在形式§2.2.1杂质在砷化镓中的存在(cúnzài)形式§2.3半导体中的缺陷(quēxiàn)、位错能级§2.3.1点缺陷§2.3.1点缺陷§2.3.1点缺陷§2.3.1点缺陷§2.3.2位错§2.3.2位错§2.3.2位错§2.3.2位错