编者按：我们并非硬件的芯片级玩家，所以我们并不了解硬件的核心技术；我们并非DIY超级发烧友，所以我们并不追求更高端的DIY硬件。对于一款硬件产品，我们要掌握其性能指标，才能让其在我们的应用中发挥较好的效果。内存，大家在选购时考虑最多的就是容量、频率，很少从编码上去核对是否与标准的参数相同。说实话，很多内存的经销商都不了解内存编码每一个字母、每一个数字代表的含义，往往他们也是告知购买者也只是容量和频率。难道经销商告知的和卖出的就是原创内存吗？不销售假冒、打磨的内存吗？今天小编就给大家完全攻略全球最大的内存制造、OEM品牌厂商三星的金条内存编码，因为三星除了自有品牌外，也销售颗粒，这样市场原装内存与贴牌或使用三星颗粒的其他品牌内存很难识别，要知道三星金条可是品质过硬的中高端内存，商家为谋取暴利，往往会用一些欺骗手段的。一、内存颗粒的编码排序结构三星金条DDR2内存编码结构上图是目前主流的三星金条DDR2内存的颗粒编码排序，一长串的字母+字符，让大家很难去理解各编码代表的含义，从整体看，所有的字母、数字组合分成了11段，下面小编就一一解释。在三星金条的内存颗粒上我们会看到两类品牌标识：SAMSUNG和SEC（“三星电子”的英文缩写），这都是三星官方英文标识。SAMSUNG由于字母较多，一般用在TSOP封装的长方形颗粒上，而SEC为缩写，多用在mBGA封装的小正方形颗粒上。第一段字母是每个内存颗粒品牌的标识，“K”为三星半导体存储颗粒的标识，只要是采用三星制造、销售的内存颗粒，编码均以K开头；第二段数字是“4”，这个位置永远是数字4，表示这是DRAM内存；第三段字母是内存颗粒的类型，“S”表示SDRAM、“H”表示DDR、“T”表示DDR2DRAM、“D”表示GDDR1（显存颗粒）；第四段含两个字符，表示单颗内存颗粒的容量。56：256Mb、51：512Mb、1G：1Gb、2G：2Gb，注意这是小写的“b”（位），芯片级多以“b”表示容量，换算成我们熟悉的“B”（字节）时，需要除以8；第五段含两个数字，表示芯片位数，有04：×4、06：×4Stack、07：×8Stack、08：×8、16：×16、26：×4Stack（JEDEC）、27：×8Stack（JEDEC）几种规格。×4表明芯片是4位的，以此类推，而带有Stack表示使用了颗粒堆积技术，多用在服务器内存上，进行芯片叠加。第六段为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存16M×16格式8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。第七段由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V（1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。第八段由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。第九段由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2667、800根本就无法实现了。TSOP封装，针脚外露这两种都是FBGA封装形式，方形的较小，四位编码在长编码右上第十段是由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示CommercialTemp.(0°C~85°C)&NormalPower，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示CommercialTemp.(0°C~85°C)&LowPower，是低电压版，适合超频，一般很少在普及型内存上使用，因为三星比较注重稳定性和兼容性，并不想更多的发烧友超频带来危险。第十一段由两个字符组成，表示颗