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第一章集成电路制造工艺集成电路制造工艺分类§1-1双极型集成电路工艺(P1~5)思考题1.1.1典型PN结隔离工艺流程P-Sub1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续2）1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续3）1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续4）1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续5）1.1.1典型PN结隔离工艺流程（续6）1.1.2典型PN结隔离工艺光刻掩膜版汇总1.1.3外延层电极的引出1.1.4埋层的作用1.1.5隔离的实现1.1.6其它双极型集成电路工艺简介1.1.7习题§1.2MOS集成电路工艺(P5~11)思考题1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（参考P阱硅栅CMOS工艺流程）1.衬底准备P-Sub1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）3.N-阱注入，N-阱推进，退火，清洁表面P-SubP-SubP-Sub1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）7.P+active注入（Pplus）（硅栅自对准）1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）8.N+active注入（Nplus—Pplus的反版）（硅栅自对准）1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）9.淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）10.蒸镀金属1，反刻金属1（metal1)1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）11.绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via)1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）12.蒸镀金属2，反刻金属2（metal2)1.2.1N阱硅栅CMOS工艺主要流程（续）13.钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad)1.2.2N阱硅栅CMOS工艺光刻掩膜版汇总简图1.2.3局部氧化的作用1.2.4硅栅自对准的作用1.2.5MOS管衬底电极的引出1.2.6其它MOS工艺简介1.2.7习题§1.3BICMOS工艺简介1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺1.以P阱CMOS工艺为基础1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺2.以N阱CMOS工艺为基础1.3.2以双极型工艺为基础的BI-MOS工艺
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