>硅是自然界中蕴藏最丰富的元素之一，约占地壳的25%，一、集成电路制造工艺与制造流程介绍一、集成电路制造工艺与制造流程介绍-是MOS工艺中最常用的工艺。>GaAs中载流子的迁移率远远高于硅中载流子的迁移率；一、集成电路制造工艺与制造流程介绍1.2砷化镓（GaAs）工艺（续1）b.以GaAs材料为基础的集成电路制造工艺划分>在GaAs工艺下也可分出两支：-双极型GaAs器件，主要用于制造分离的GaAs管子和由互连形成ISL；-FETGaAs逻辑器件。c.GaAs工艺的特点>基本单元的面积很小，寄生电容小，器件可直接隔离；>工作速度高，适用于高速集成电路的制造；数百个不同的工艺步骤，耗时约一、二个月的时间。一、集成电路制造工艺与制造流程介绍2.2集成电路生产的各制造工艺步骤（续2）b.硅圆晶片的形成（续1）一、集成电路制造工艺与制造流程介绍2.2集成电路生产的各制造工艺步骤（续6）c.氧化（续3）>热氧化工艺流程确的控制离子的注入深度。一、集成电路制造工艺与制造流程介绍一、集成电路制造工艺与制造流程介绍一、集成电路制造工艺与制造流程介绍2.2集成电路生产的各制造工艺步骤（续16）e.光刻（续2）>基于负胶的光刻步骤。-曝光：*以紫外光为光源的光学曝光就可分为接触式、接近式和投影式；*其他曝光方式还有X射线曝光、电子束曝光、直接分步重复曝光、深紫外线曝光等；*在曝光时，曝光时间、氮气释放、氧气、驻波和光线平行度等因素将影响曝光质量。-刻蚀——利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化膜和金属膜等上的有关区域进行腐蚀加工。一般有两种刻蚀方法：*采用图形内无针孔，图形外无小岛，不染色，腐蚀液湿法刻蚀；一、集成电路制造工艺与制造流程介绍2.2集成电路生产的各制造工艺步骤（续18）g.封装>封装工艺环节可包含芯片切割、芯片粘贴、压焊键合线和模压塑封。>常用的封装形式有：DIP、PLCC、SOIC和QFP等。裸片与键合线连接示意图