9.1存储器概述存储器分类：存储器的主要性能指标：9.1只读存储器（ROM）（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。（2）输出信号表达式编程前的PROM1.ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成。由地址译码器和或门存储矩阵组成。1.作函数运算表电路【例1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。【解】（1）写出各函数的标准与或表达式：按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。9.2随机存取存储器按存储的机理分：静态RAM（staticRAM）,简称SRAM。动态RAM（DynamicRAM）,简称DRAM。由大量寄存器构成的矩阵容量为256×4RAM的存储矩阵地址的选择通过地址译码器来实现。地址译码器由行译码器和列译码器组成。行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。9.3.3RAM容量的扩展字扩展本节小结：微型计算机中的存储器