7.1随机存取存储器SRAM的静态存储单元存储矩阵：在译码器和读/写控制电路的控制下既可以写入1或0，又可以将所存储的数据读出。存储矩阵中的单元个数即存储容量地址译码器：将输入的地址代码译成某一条字线的输出信号，使连接在这条字线上的存储单元或读/写控制电路接通，然后才能对这些单元进行读或写。读/写控制电路：对电路的工作状态进行控制片选输入端CS，读/写控制，输出缓冲电路共有1024×4=4096个存储单元，排成64×64矩阵。1024（=210），共有10个地址输入端A0～A9。分成两组译码I/O1～I/O4既是数据输入端也是数据输出端7.1.2RAM的扩展2字扩展方式如果每一片RAM中的位数已够用而字数不够用时，应采用字扩展方式（也称地址扩展方式）。例2用四片256×8位RAM接成一个1024×8位RAM256（=28），1024（=210），每一片RAM只有八位地址输入端，而1024为10位地址输入端，故需增加两位地址码A9、A8。由于每一片RAM的数据端I/O1～I/O8都有三态缓冲器，而它们又不会同时出现低电平，故可将它们的数据端并联起来，作为整个RAM的八位数据输入/输出端。图4RAM的字扩展接法图4中各片RAM电路的地址分配7.1.3RAM的时序问题为保证存储器的正常工作，必须满足读、写周期的时序要求，即各信号之间的时间关系。以2114（1024×4）RAM为例读周期写周期7.2只读存储器（READ－ONLYMEMORY，ROM）各种存储器中结构最简单的一种。在正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能读出，不能随时写入，故称只读存储器。分类：使用的器件类型:二极管ROM双极型三极管ROMMOS管ROM数据的写入方式:固定ROM：无法更改，出厂时已定可编程ROM（PROM）：用户只可写入一次可擦可编程ROM（EPROM）：可写可擦，但费时长，操作复杂电抹可编程ROM（E2PROM）ROM电路都包含地址译码器、存储单元矩阵和输出缓冲器三个部分PROM：所有的存储单元均为0或1，可根据需要改写一次存入数据（编程）的方法：熔断法，PN结击穿法EPROM：可根据需要改写多次，将存储器原有的信息抹去，再写入新的信息，允许改写几百次方法：利用雪崩击穿，采用特殊的雪崩注入MOS管或叠栅注入MOS管擦除方式：紫外线照射特点：擦除操作复杂，速度慢，正常工作时不能随意改写E2PROM：允许改写100～10000次方法：利用隧道效应，采用具有两个栅极的特制NMOS管和一个普通NMOS管擦除方式：加电特点：擦除操作简单，速度快，正常工作时最好不要随意改写FlashMemory:快闪存储器方法：采用特殊的单管叠栅MOS管，写入用雪崩注入，擦除利用隧道效应擦除方式：加电特点：擦除操作简单，集成度高，容量大ROM的应用实现组合逻辑函数，代码转换，字符发生器，数学函数表，实现时序电路中组合逻辑部分ROM也可按RAM的级联方式扩展只读存储器（ROM）ROM的编程与分类⑶可察除的可编程ROM（EPROM）③快闪存储器（FlashMemory）图5二极管ROM两位地址输入A1，A0；四位数据输出D3D2D1D0；存储单元为二极管；存储容量为4×4位。图6二极管ROM的结点图（阵列图）图7NMOS管存储矩阵例1用一个ROM实现如下函数，并画出其结点图画结点图二进制码转换为格雷码的真值表二进制码转换为格雷码的阵列图及逻辑符号图本章小结：一、只读存储器ROM(ReadOnlyMemory)1．供电电源切断时，ROM中存储的信息不会丢失的特性。2.ROM的基本结构是由一个固定连接的与门阵列和一个可编程连接的或门阵列所组成。3.是一种在正常工作情况下只能读取而不能写入数据的存储器，在计算机中主要用于存放执行程序、数据表格和字符等。二、随机存取存储器（RAM）1．按存储单元的特性分为：SRAM：静态随机存储器DRAM：动态随机存储器2．在使用时可以随时从任一指定地址取出（读出）数据，也可以随时将数据存入（写入）任何指定地址的存储单元中去。3．特点：优点是读写方便，使用灵活。缺点是存在易失性，一旦断电所存储的数据便会丢失，不利于数据长期保存。